薄膜晶体管基板及其制造方法、显示装置制造方法及图纸

有源矩阵基板（20a）包括：绝缘基板（10a）；第一薄膜晶体管（5a），其包括设置在绝缘基板（10a）上的第一栅极电极（11b）和具有第一沟道区域（Ca）的第一氧化物半导体层（13a）；第二薄膜晶体管（5b），其包括设置在绝缘基板（10a）上的第二栅极电极（11c）和具有第二沟道区域（Cb）的第二氧化物半导体层（13b）；和覆盖第一氧化物半导体层（13a）和第二氧化物半导体层（13b）的第二栅极绝缘膜（17）。而且，在第二栅极绝缘膜（17）上设置有隔着第二栅极绝缘膜（17）与第一沟道区域（Ca）和第二沟道区域（Cb）相对配置的第三栅极电极（25）。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及薄膜晶体管基板，特别涉及使用氧化物半导体的半导体层的薄膜晶体管基板及其制造方法、显示装置。
技术介绍
在有源矩阵基板中，按照图像的最小单元即各像素，例如设置有薄膜晶体管(ThinFilm Transistor、以下也称为“TFT”)作为开关元件。另外，近年来，在有源矩阵基板中，作为图像的最小单元即各像素的开关元件，提案有:替代非晶硅的半导体层的现有的薄膜晶体管，而使用由能够高速移动的IGZO(In-Ga-Zn-O)类的氧化物半导体膜形成的氧化物半导体的半导体层(以下也称为“氧化物半导体层”)的TFT。 更加具体来讲，例如公开具有双栅极结构的TFT (例如参照专利文献1)，该双栅极结构包括:设置在绝缘基板上的第一栅极电极；以覆盖第一栅极电极的方式设置的第一栅极绝缘膜；以与第一栅极电极重叠的方式设置在第一栅极绝缘膜上的氧化物半导体层；在氧化物半导体层上与氧化物半导体层连接的源极电极和漏极电极；以覆盖氧化物半导体层的方式设置的第二栅极绝缘膜；和设置在第二栅极绝缘膜上的第二栅极电极。现有技术文献技术文献专利文献1:日本特开2009 - 176865号公报专利
技术实现思路
专利技术想本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2010.09.09 JP 2010-2023821.一种薄膜晶体管基板，其特征在于，包括: 绝缘基板； 第一薄膜晶体管，其包括设置在所述绝缘基板上的第一栅极电极和设置在所述第一栅极电极上的具有第一沟道区域的第一半导体层； 第二薄膜晶体管，其包括设置在所述绝缘基板上的第二栅极电极和设置在所述第二栅极电极上的具有第二沟道区域的第二半导体层； 覆盖所述第一半导体层和所述第二半导体层的绝缘膜；和 第三栅极电极，其设置在所述绝缘膜上，且隔着该绝缘膜与所述第一沟道区域和所述第二沟道区域中的至少一个相对配置。2.如权利要求1所述的薄膜晶体管基板，其特征在于: 所述第三栅极电极包括选自铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)、含有氧化硅的铟锡氧化物(ITSO)、氧化铟(In2O3)、氧化锡(SnO2)和氧化锌(ZnO)中的至少一种金属氧化物。3.如权利要求1或2所述的薄膜晶体管基板，其特征在于: 所述第一半导体层和所述第二半导体层为氧化物半导体层。4.如权利要求3所述的薄膜晶体管基板，其特征在于: 所述氧化物半导体层包括选自铟(In)、镓(Ga)、铝(Al)、铜(Cu)和锌(Zn)中的至少一种的金属氧化物。5.如权利要求4所述的薄膜晶体管基板，其特征在于: 所述氧化物半导体层包括铟镓锌氧化物(IGZ0)。6.如权利要求1或2所述的薄膜晶体管基板，其特征在于: 所述第一半导体层和所述第二半导体层为硅类半导体层。7.如权利要求1至6中任一项所述的薄膜晶体管基板，其特征在于，还包括: 设置在所述绝缘基板上的第三薄膜晶体管；和 设置在所述绝缘膜上的...

【专利技术属性】
技术研发人员：宫本忠芳，
申请(专利权)人：夏普株式会社，
类型：
国别省市：