一种具有低掺杂度漏极的TFT制造技术

本实用新型专利技术提出了一种具有低掺杂度漏极的TFT，包括：依次覆盖于玻璃基板上的氧化物缓冲层、非晶硅层、栅极绝缘层和栅极金属层，各层之间按照TFT的结构连接构成TFT，所述非晶硅层经过了结晶化处理，所述非晶硅层包含两个低掺杂度离子注入区，所述栅极金属层在非晶硅层的投影面积小于栅极绝缘层在非晶硅层的投影面积。本实用新型专利技术的有益效果：本实用新型专利技术的一种具有低掺杂度漏极的TFT，由于其使用了栅极金属层在非晶硅层的投影面积小于栅极绝缘层在非晶硅层的投影面积的结构，使得本实用新型专利技术的具备低掺杂度漏极的TFT在制造过程中无需使用两张mask，简化了工艺工程并节约了工艺成本。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术属于显示
，具体涉及AMOLED的驱动电路的一种具有低掺杂度漏极的TFT。
技术介绍
在平板显示技术中，有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode, 0LED)显示器以其轻薄、主动发光、快响应速度、广视角、色彩丰富及高亮度、低功耗和耐高低温等众多优点而被业界公认为是继液晶显示器(IXD)之后的第三代显示技术。主动式0LED(ActiveMatrix OLED, AMOLED)也称为有源矩阵OLED，AMOLED因通过在每个像素中集成薄膜晶体管(TFT )和电容器并由电容器维持电压的方法进行驱动，因而可以实现大尺寸、高分辨率面板，是当前研究的重点及未来显示技术的发展方向。AMOLED与IXD不同，AMOLED的驱动方式是电流驱动，TFT的电气特性相当重要，尤其是载流子(carrier)的迁移率特性良好才有利。常用的S1-TFT大致可分为非晶硅TFT(a-Si TFT)和多晶硅TFT(p_Si TFT)，两者各有优缺点非晶硅TFT(a_Si TFT)的生产率突出，均匀性高；多晶硅TFT(p-Si TFT)载流子迁移率特性优秀。所以多晶硅TFT(p-SiTFT)更适合于制作AMOLED用的TFT。多晶硅TFT (p-si TFT)在现有的工艺中采用低温结晶化方法(LTPS，LowTemperature Poly-Silicon)工序制造,这样的低温结晶化方法分为利用错射激光(Laser)的方法和Non Laser的方法。Laser的结晶化方法的优点是每个晶粒都能显示出完整的硅的特性，但是Laser光源自身的稳定性问题会导致TFT特性的均勻性(Uniformity)变化严重，而且设备本身的费用高，激光 源(Laser source)的大小对显示屏面积有影响，尤其会对大面积显示产生限制。相反，Non-Laser的结晶化方法相比Laser方式在电气特性方面上略有不足，但也有节约成本 ，晶粒的均匀度高和适用于大面积显示屏等众多优点。在拥有以上优点的Non-Laser结晶化方式中，为最大化每个金属结晶化(MIC, Matal InducedCrystallization)的优点，改善高漏电流(High Leakage current)的特性,使用了低掺杂度漏极(LDD, Light Doped Drain)的器件结构制作TFT。图1所示为现有的LDD TFT制造过程中的TFT层结构示意图，其中包括依次覆盖于玻璃基板I上的氧化物缓冲层2、非晶硅层3、栅极绝缘层4、栅极金属层5和光阻层6，各层之间按照通常制造TFT的方法连接构成TFT ；以上结构的TFT其栅极绝缘层和栅极金属层接触面面积一致，故要是TFT形成低掺杂度漏极还需要使用mask经过2道工序才能完成，工艺过程较复杂，成本较高。
技术实现思路
本技术的目的是为了解决现有的具有低掺杂度漏极的TFT的上述问题，提出了一种具有低掺杂度漏极的TFT。本技术的技术方案为一种具有低掺杂度漏极的TFT，包括依次覆盖于玻璃基板上的氧化物缓冲层、非晶硅层、栅极绝缘层和栅极金属层，各层之间按照TFT的结构连接构成TFT ；其特征在于，所述非晶硅层经过了结晶化处理，所述非晶硅层包含两个低掺杂度离子注入区。上述栅极金属层在非晶硅层的投影面积小于栅极绝缘层在非晶硅层的投影面积。上述两个低掺杂度离子注入区关于中心对称分布于非晶硅层中栅极绝缘层与栅极金属层在非晶硅层的投影面的差集区域。本技术的有益效果本技术的一种具有低掺杂度漏极的TFT，由于其使用了栅极金属层在非晶硅层的投影面积小于栅极绝缘层在非晶硅层的投影面积的结构，使得本技术的具备低掺杂度漏极的TFT在制造过程中无需使用两张mask，简化了工艺工程并节约了工艺成本。附图说明图1为现有的TFT层结构示意图。图2为本技术的LDD TFT的栅极金属层湿法刻蚀后的层结构示意图。图3为本技术的LDD TFT的栅极绝缘层干法刻蚀后的层结构示意图。图4为本技术的LDD TFT的离子注入后的层结构示意图。具体实施方式以下结合附图和具体的实施例对本技术作进一步的阐述。本方案的目的提供一种具有低掺杂度漏极的TFT结构，使所述的TFT的制造工艺过程简化。如图4所示，本实施例的一种具有低掺杂度漏极的TFT，包括依次覆盖于玻璃基板I上的氧化物缓冲层2、非晶硅层3、栅极绝缘层4和栅极金属层5，各层之间按照TFT的结构连接构成TFT ；上述非晶硅层3经过了结晶化处理，所述非晶硅层3包含两个低掺杂度离子注入区7。上述栅极金属层5在非晶硅层3的投影面积小于栅极绝缘层4在非晶硅层3的投影面积。上述两个低掺杂度离子注入区7关于中心对称分布于非晶硅层3中栅极绝缘层4与栅极金属层5在非晶硅层的投影面的差集区域。下面结合图2和图3说明本技术的原理，如图2所示为本技术的LDD TFT的栅极金属层干法刻蚀后的层结构示意图，与现有工艺中对栅极金属层干法刻蚀相比，本技术在此步骤中对栅极金属层的刻蚀时间更长，使得栅极金属层5被刻蚀得更深，形成如图2中所示的形状。进一步的，对经过栅极金属层5刻蚀后(如图2所示)的结构进行栅极绝缘层4干法刻蚀，形成如图 3所示的略大于被刻蚀后的栅极金属层5的栅极绝缘层4。在进一步进行TFT制造的离子注入时，以上形成的栅极绝缘层4略大于栅极金属层5的结构就会因为栅极绝缘层的阻挡在两者在非晶硅层的投影的差集区域形成低掺杂度的漏极。本领域的普通技术人员将会意识到，这里所述的实施例是为了帮助读者理解本技术的原理，应被理解为本技术的保护范围并不局限于这样的特别陈述和实施例。本领域的普通技术人员可以根据本技术公开的这些技术启示做出各种不脱离本技术实质的其它 各种具体变形和组合，这些变形和组合仍然在本技术的保护范围内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种具有低掺杂度漏极的TFT，包括：依次覆盖于玻璃基板上的氧化物缓冲层、非晶硅层、栅极绝缘层和栅极金属层，各层之间按照TFT的结构连接构成TFT；?其特征在于，所述非晶硅层经过了结晶化处理，所述非晶硅层包含两个低掺杂度离子注入区，上述栅极金属层在非晶硅层的投影面积小于栅极绝缘层在非晶硅层的投影面积。

【技术特征摘要】
1.一种具有低掺杂度漏极的TFT，包括依次覆盖于玻璃基板上的氧化物缓冲层、非晶硅层、栅极绝缘层和栅极金属层，各层之间按照TFT的结构连接构成TFT ； 其特征在于，所述非晶硅层经过了结晶化处理，所述非晶硅层包含两个低掺杂度离子注入区，上...

【专利技术属性】
技术研发人员：柳济宣，李惠元，郭钟云，
申请(专利权)人：四川虹视显示技术有限公司，
类型：实用新型
国别省市：