【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于平板显示领域，具体涉及一种在玻璃衬底或者塑料衬底上的底栅薄膜晶体管及其制备方法。
技术介绍
半导体产业是当今信息化社会的支柱产业，而其中起放大以及开关作用的晶体管具有极为重要的地位。晶体管从最初简单的结型和点接触晶体管到现在大规模产业化的非晶硅薄膜晶体管已有80多年的历史。20世纪六、七十年代开发的CdSXdSe薄膜晶体管虽在有源液晶显示器AMLCD获得应用，但由于硫化物有源层的不稳定和高昂的制作成本，没有获得有产业意义的突破。稍后开发的以硅基晶体管为代表的金属-氧化物-半导体晶体管MOSFET极大地推动了平板显示器特别是有源液晶显示器的产业化进程。传统工艺使用非晶硅薄膜晶体管技术，后来，又研究开发多晶硅技术。但非晶硅薄膜晶体管工艺逐渐显露出其局限性，主要是低的迁移率和不透明性。前者限制了器件的响应速度，后者则降低器件的开口率。非晶硅晶体管的另一个突出问题是带隙小(1. 17eV)，需要黑矩阵来阻挡可见光照射，以免产生额外的光生载流子，这就增加了工艺的复杂性和成本。多晶硅技术又由于制备温度高、工艺复杂、大面积均匀性差等因素很难实际应用，显示技术的发...
【技术保护点】
一种薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管包括：衬底（1）、栅电极（2）、栅介质层（3）、沟道层（4）、源电极和漏电极（5），其中，在所述衬底（1）上形成所述栅电极（2），在所述栅电极（2）上形成所述栅介质层（3），在所述栅介质层（3）上形成所述沟道层（4），以及在所述沟道层（4）的两端分别形成所述源电极和漏电极（5），所述沟道层（4）的材料采用掺镓的氧化锌半导体材料，其中镓的含量为1%~10%（质量）。
【技术特征摘要】
1.一种薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管包括衬底(I)、栅电极(2)、栅介质层(3)、沟道层(4)、源电极和漏电极(5)，其中，在所述衬底(I)上形成所述栅电极(2)，在所述栅电极(2 )上形成所述栅介质层(3 )，在所述栅介质层(3 )上形成所述沟道层(4)，以及在所述沟道层(4)的两端分别形成所述源电极和漏电极(5)，所述沟道层(4)的材料采用掺镓的氧化锌半导体材料，其中镓的含量为19Γ10% (质量)。2.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述衬底的材料为透明的玻璃或者柔性的塑料。3.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述栅电极的材料为氧化铟锡ITO或氧化锌镓GZO等的透明的导电材料。4.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述栅介质层的材料采用二氧化硅或者氮化硅等的绝缘材料。5.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述源电极和漏电极为氧化铟锡ITO 或氧化锌镓GZO等的透明的导电材料。6.一种薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括以下步骤1)在玻璃或者塑料的衬底上生长一层透明的导电薄膜，光刻刻蚀形成栅电极...
【专利技术属性】
技术研发人员：韩德栋，张索明，田宇，单东方，黄福青，丛瑛瑛，王漪，张盛东，刘力锋，刘晓彦，康晋锋，
申请(专利权)人：北京大学，
类型：发明
国别省市：
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