【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体集成电路制造
,特别是涉及一种场效应晶体管寄生电阻和沟道参数的提取方法。
技术介绍
场效应晶体管(FET)的寄生电阻是指FET的三个电极(源极、漏极和栅极)的寄生电阻,分别表示为Rs、Rd和Rg,它们主要受电极金属损耗、欧姆接触等因素影响。FET的寄生电阻的大小可以反映半导体工艺制程的优劣,在制造过程中一般需要尽量减小它们;同时,寄生电阻(特别是源极寄生电阻Rs)的提取是FET器件小信号建模中最关键也是最难的步骤,它们的提取精度,直接影响到FET其它参数的提取精度。FET的沟道电阻(Rch)和夹断电压(Vth)是FET两个关键的沟道参数,Rch是指FET的本征部分沟道载流子引起的电阻,Vth是沟道开启时对应的栅极电压,它们随沟道载流子浓度、载流子迁移率等变化,可用于评估FET外延质量以及栅极工艺的优劣。因此,FET的寄生电阻和沟道参数的精确提取,可以直接反映FET关键工艺制程和外延质量,也是FET器件准确建模的前提。然而,传统的寄生电阻提取方法,存在提取流程复杂(如Lee法)、提取精度不高(如Yang-Long法)或者需要昂贵的测试设备(如Cold-FET法)等缺点。
技术实现思路
本专利技术主要解决的技术问题是提供一种场效应晶体管寄生电阻和沟道参数的提取方法,能够简化提取过程,提高提取结果精度以及降低成本。为解决上述技术问题,本专利技术采用的一个技术方案是:提供一种场效应晶体管寄生电阻和沟道参数的提取方法,包括以下步骤:将场效应晶体管的漏极开路、源极接地后在栅极施加正向偏置电压,对场效应晶体管进行电压电流测试以获得栅源电压与栅源电 ...
【技术保护点】
一种场效应晶体管寄生电阻和沟道参数的提取方法,其特征在于,包括以下步骤:将场效应晶体管的漏极开路、源极接地后在栅极施加正向偏置电压,对场效应晶体管进行电压电流测试以获得栅源电压与栅源电流的关系式以及漏源电压与栅源电流的第一关系式;保持场效应晶体管的漏极开路、源极接地,在漏极注入恒定直流电流,对场效应晶体管进行电压电流测试以获得漏源电压与栅源电流的第二关系式;将场效应晶体管的源极开路、漏极接地后在栅极施加正向偏置电压,对场效应晶体管进行电压电流测试以获得栅漏电压与栅漏电流的关系式以及源漏电压与栅漏电流的关系式;对栅源电压与栅源电流的关系式、漏源电压与栅源电流的第一关系式、漏源电压与栅源电流的第二关系式、栅漏电压与栅漏电流的关系式和源漏电压与栅漏电流的关系式进行方程式数值求解得到场效应晶体管的寄生电阻、沟道电阻和夹断电压。
【技术特征摘要】
1.一种场效应晶体管寄生电阻和沟道参数的提取方法,其特征在于,包括以下步骤:将场效应晶体管的漏极开路、源极接地后在栅极施加正向偏置电压,对场效应晶体管进行电压电流测试以获得栅源电压与栅源电流的关系式以及漏源电压与栅源电流的第一关系式;保持场效应晶体管的漏极开路、源极接地,在漏极注入恒定直流电流,对场效应晶体管进行电压电流测试以获得漏源电压与栅源电流的第二关系式;将场效应晶体管的源极开路、漏极接地后在栅极施加正向偏置电压,对场效应晶体管进行电压电流测试以获得栅漏电压与栅漏电流的关系式以及源漏电压与栅漏电流的关系式;对栅源电压与栅源电流的关系式、漏源电压与栅源电流的第一关系式、漏源电压与栅源电流的第二关系式、栅漏电压与栅漏电流的关系式和源漏电压与栅漏电流的关系式进行方程式数值求解得到场效应晶体管的寄生电阻、沟道电阻和夹断电压。2.根据权利要求1所述的场效应晶体管寄生电阻和沟道参数的提取方法...
【专利技术属性】
技术研发人员:陈勇波,
申请(专利权)人:成都海威华芯科技有限公司,
类型:发明
国别省市:四川;51
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