一种寄生效应低品质因数高的差分开关电容结构制造技术

本发明专利技术公开了一种寄生效应低、品质因数高的差分开关电容结构。相对于传统差分开关电容结构，本差分开关电容结构主要进行了以下两点改进：第一，去掉了PMOS管P1和P2，消除了二者引入的寄生效应；第二，在数字信号D的输入端和开关射频管的漏极之间串一个反相器和电阻，降低开关管的寄生效应。改进后的差分开关电容结构具有寄生效应低、品质因数高以及调谐范围宽的特性。

【技术实现步骤摘要】
一种寄生效应低品质因数高的差分开关电容结构
本专利技术主要涉及离散电容设计领域，尤其指一种寄生效应低、品质因数高的差分开关电容结构。
技术介绍
近年来，随着无线通讯技术突飞猛进的发展，多种标准兼容和宽带通讯系统成为必然趋势。作为该系统的关键模块，压控振荡器要求有足够宽的频率覆盖范围和苛刻的相位噪声性能。基于标准CMOS工艺变容管实现的调谐LC VCO最大能实现20%左右的频率调谐范围。同时，采用大尺寸的变容管容易把幅度噪声转化为相位噪声，使相位噪声变差。为此，人们提出了采用数控开关电容技术实现可变电容。但是传统的开关电容阵列由NMOS晶体管和电容串联构成，NMOS管开启时导通电阻和断开时漏端寄生电容使得调谐回路Q值低以及相位噪声性能差。因此，设计寄生效应低，品质因数高的开关电容成为了开关电容设计的难题。图1展示了一种由NMOS开关管和金属电容实现的传统差分开关电容结构。当开关控制信号D为高电平时，NMOS开关管NpN2和N3闭合，PMOS开关管P1和P2断开，开关电容处于闭合状态，此时开关电容结构的等效电路如图3所示，其中Rh^Rm2和Rm3分别三个NMOS 开关管导通时的等效电阻，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种寄生效应低、品质因数高的差分开关电容结构，其特征在于：它包括左右两条开关电容支路，输入信号为数字控制信号D，输出信号为P和N。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：郭斌，
申请(专利权)人：长沙景嘉微电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：