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本发明公开了一种寄生效应低、品质因数高的差分开关电容结构。相对于传统差分开关电容结构，本差分开关电容结构主要进行了以下两点改进：第一，去掉了PMOS管P1和P2，消除了二者引入的寄生效应；第二，在数字信号D的输入端和开关射频管的漏极之间串一...
该专利属于长沙景嘉微电子股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过长沙景嘉微电子股份有限公司授权不得商用。

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