【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种异质结双极晶体管的监测方法，具体涉及一种用于提取HBT器件中基区寄生电阻的方法。
技术介绍
HBT (异质结双极晶体管)器件结构如图1所示。在HBT器件中，基区的锗硅多晶硅(SiGe Poly)寄生电阻会成为影响HBT频率特性的一个重要因素。现有的用于提取HBT器件中基区寄生电阻的结构，多为普通直条形电阻。具体来说，是采用直条形的基区锗硅多晶硅，通过一组长度和宽度变化的结构，提取相应阻值。但是由于HBT中基区寄生电阻的方块值非常小，受掺杂浓度的影响非常大，加上普通直条形电阻的尺寸和实际HBT器件中的基区锗硅多晶硅尺寸差异很大，在测试时由外界引入的误差也非常大，所以通过直条形电阻提取的阻值无法适应模型的需要。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是提供一种用于提取HBT器件中基区寄生电阻的方法，它可以精确地提取HBT的基区寄生电阻。为解决上述技术问题，本专利技术用于提取HBT器件中基区寄生电阻的方法的技术解决方案为，包括以下步骤:第一步，采用截面为矩形环状发射极多晶硅，通过矩形环状发射极多晶硅的屏蔽，形成锗硅多晶硅的连接电阻；使矩形环状发射极多...
【技术保护点】
一种用于提取HBT器件中基区寄生电阻的方法，其特征在于，包括以下步骤：第一步，采用截面为矩形环状发射极多晶硅，通过矩形环状发射极多晶硅的屏蔽，形成锗硅多晶硅的连接电阻；使矩形环状发射极多晶硅的条宽、长度取不同的数值，得出一组线性变化值，通过对器件模型上的拟合推出精确的阻值；第二步，在矩形环状发射极多晶硅上开矩形环状发射区窗口，形成锗硅多晶硅的基区窗口电阻；使矩形环状发射区窗口的条宽、长度取不同的数值，得出一组线性变化值，通过对器件模型上的拟合推出精确的阻值。
【技术特征摘要】
1.种用于提取HBT器件中基区寄生电阻的方法，其特征在于，包括以下步骤: 第一步，采用截面为矩形环状发射极多晶硅，通过矩形环状发射极多晶硅的屏蔽，形成锗硅多晶硅的连接电阻； 使矩形环状发射极多晶硅的条宽、长度取不同的数值，得出一组线性变化值，通过对器件模型上的拟合推出精确的阻值； 第二步，在矩形环状发射极多晶硅上开矩形环状发射区窗口，形成锗硅多晶硅的基区窗口...
【专利技术属性】
技术研发人员：苗彬彬，朱丽霞，金锋，
申请(专利权)人：上海华虹NEC电子有限公司，
类型：发明
国别省市：
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