温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明公开了一种用于提取HBT器件中基区寄生电阻的方法，包括以下步骤：第一步，采用截面为矩形环状发射极多晶硅，通过矩形环状发射极多晶硅的屏蔽，形成锗硅多晶硅的连接电阻；使矩形环状发射极多晶硅的条宽、长度取不同的数值，得出一组线性变化值，通过...
该专利属于上海华虹NEC电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹NEC电子有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。