【技术实现步骤摘要】
本专利技术属电路分析方法领域，具体涉及。
技术介绍
现有技术公开的集成电路生产制造工艺中，流片所得到器件的几何和电学参数与设计标称值之间的相对误差不大，但随着集成电路半导体制造技术向65nm/45nm/32nm工艺节点发展，复杂工艺如纳米工艺下亚波长光刻、大马士革铜互连和化学机械抛光(Chemical Mechanical Polishing, CMP)等被广泛采用，使得实际制造出的娃片图案与设计版图偏差日益严重[1，2]。光刻工艺中光波的干涉和衍射效应使得硅片上的版图在水平方向发生严重畸变，CMP工艺则会导致铜或介质在垂直高度方向发生偏差。例如在45纳米工艺中，⑶的三倍标准偏差已可达其均值的35%以上[3]。在集成电路制造过程中，由于工艺扰动等原因，导致实际制造出来的电路参数与设计的标称值之间存在明显的不一致，这将对电路的稳定性产生显著影响，从而最终影响成品率。因此，针对模拟集成电路稳定性分析，仅分析电路参数在标称值一点处的稳定状况已不能满足设计者的需求，他们更关心当多个电路参数同时发生变化时，在整个参数变化空间中电路稳定性的分布状况，即找到在参数变化空间中的...
【技术保护点】
一种模拟电路多参数鲁棒稳定性分布分析的方法，其特征在于，结合区间计算方法和参数轴相关性优先的切分方法，依照稳定性对参数空间进行切分，其包括步骤：(1)利用符号仿真工具，从电路网表计算得到电路传递函数；(2)利用稳定性判定方法，将模拟电路的稳定性判定问题转化为为非线性不等式组的区间计算问题；(3)利用区间计算方法和参数轴相关性优先的切分方法，采用递归的方式将参数空间切分为：电路为稳定、电路为不稳定、不能确定电路是否稳定三类不同的参数向量的集合；(4)针对不确定的电路参数向量集合，以体积为权重，利用重要性蒙特卡洛采样方法估算其稳定性的百分比；(5)利用稳定、不稳定电路参数向量的...
【技术特征摘要】
1.种模拟电路多参数鲁棒稳定性分布分析的方法，其特征在于，结合区间计算方法和参数轴相关性优先的切分方法，依照稳定性对参数空间进行切分，其包括步骤: (1)利用符号仿真工具，从电路网表计算得到电路传递函数； (2)利用稳定性判定方法，将模拟电路的稳定性判定问题转化为为非线性不等式组的区间计算问题； (3)利用区间计算方法和参数轴相关性优先的切分方法，采用递归的方式将参数空间切分为:电路为稳定、电路为不稳定、不能确定电路是否稳定三类不同的参数向量的集合； (4)针对不确定的电路参数向量集合，以体积为权重，利用重要性蒙特卡洛采样方法估算其稳定性的百分比； (5)利用稳定、不稳定电路参数向量的集合，以及不确定电路参数向量集合的稳定百分t匕，计算电路参数空间的稳定百分比； 所述的方法的输出为:稳定、不稳定和不确定三类不同电路参数向量的集合，构成所述电路的稳定性分布；同时获得所述电路参数空间的稳定百分比。2.权利要求1所述的方法，其特征在于，所述的步骤(2)中，通过RouthTable稳定判定方法，将模拟电路的稳定性判定问题转化为非线性不等式组的区间计算问题，其包括步骤: 对于传递函数为H(s ；p) = N(s ；p)/D(s ；p)的模拟电路，其中传递函数的分母为特征多项式:3.权利要求1所述的方法，其特征在于，所述的步骤(3)中，通过递归方式将原始参数向量P切分为稳定、不稳定和不确定类参数向量的集合，通过下述步骤: 输入:函数F (P)，P = (P1，…，Pj，…，卩^巧二匕/ ’^…^是“隹的电路参数向量，参数空间总的体积V，最小阈值ε ； 输出:稳定、不稳定和不确定类参数向量的集合:稳定集合Φ3、不稳定集合Ous、不确定集合Φ。。; 第(O)步:初始化:设置稳定集合Os、不稳定集合Ous、不确定集合Ou。为空集； 第⑴步:计算m维电路参数P张成的体积vol =W (P1) X...W (Pj)...Xw (pm),^(P...
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