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本实用新型提出了一种具有低掺杂度漏极的TFT，包括：依次覆盖于玻璃基板上的氧化物缓冲层、非晶硅层、栅极绝缘层和栅极金属层，各层之间按照TFT的结构连接构成TFT，所述非晶硅层经过了结晶化处理，所述非晶硅层包含两个低掺杂度离子注入区，所述栅极...
该专利属于四川虹视显示技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过四川虹视显示技术有限公司授权不得商用。

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