提供用于封装有机发光二极管（OLED）结构的方法及装置，所述有机发光二极管结构使用材料混合层布置于基板上。在材料混合层的沉积期间所使用的处理参数允许控制所沉积的混合层的特征。混合层可被沉积为使得在混合层的某些子层中具有无机材料的特征，且...

一种直通硅穿孔制造方法包括：在硅板中蚀刻多个直通孔。将氧化物衬垫沉积在硅板的表面上并且沉积在直通孔的侧壁及底壁上。然后，在直通孔中沉积金属导体。在可与氧化物衬垫同时使用的另一方案中，将氮化硅钝化层沉积在基板的硅板的暴露后表面上。

描述形成氧化硅层的方法。这些方法包括同时地结合等离子体激发的（自由基）蒸汽与未激发的硅前驱物。可经由等离子体激发路线（例如，藉由将氨添加到蒸汽）和/或藉由选择含氮的未激发的硅前驱物来供应氮。这些方法导致含硅-氧-与-氮的层沉积在基板上。...

本发明的实施例一般涉及用于半导体处理腔室的接地套件和具有接地套件的半导体处理腔室。更具体地说，在此描述的实施例涉及建立不对称接地路径的接地套件，该不对称接地路径经选择以显著地减少由偏离中心的RF功率输送所引发的不对称性。

本发明的实施例大体上涉及用于在半导体器件上形成硅外延层的方法。这些方法包括在增加的压力与降低的温度下在衬底上形成硅外延层。所述硅外延层具有每立方厘米约1x1021个原子或更大的磷浓度，并且不添加碳而形成所述硅外延层。每立方厘米约1x10...

本发明的实施例提供用于物理气相沉积(physical?vapor?deposition；PVD)中的溅射靶及形成此种溅射靶的方法。在一个实施例中，溅射靶包含配置在背板上的靶层，及覆盖和保护所述背板的区域的保护涂层，所述保护涂层通常包含镍...

本发明提供一种用于从基板移除挥发性残余物的设备。在实施例中，一种用于从基板移除含卤素的残余物的设备包括适于操作以维持腔室内的真空的腔室及经定位以加热安置于该腔室中的基板的热模块。用于从基板移除含卤素的残余物的该设备亦包括以下至少者：A)...

本发明提供一种用于从基板移除挥发性残余物的设备。在实施例中，一种用于从基板移除含卤素的残余物的设备包括适于操作以维持腔室内的真空的腔室及经定位以加热安置于该腔室中的基板的热模块。用于从基板移除含卤素的残余物的该设备亦包括以下至少者：A)...

一种用于紫外线灯的反射器，该紫外线灯可在基材处理设备中使用。该反射器包含在该紫外线灯长度上延伸的纵向带。该纵向带具有一弯曲反射表面并且包含多个通孔以将冷却剂气体导向该紫外线灯。在此亦描述使用具有反射器的紫外线灯模块的腔室以及紫外线处理的...

本发明提供了用于制造存储单元的系统、方法和设备。本发明包括：在第一介电材料中形成特征，所述特征具有侧壁；在所述特征的侧壁上形成第一导电材料；将具有第二介电材料的层沉积至导电材料上；以及使第二介电材料接触氧化物质和紫外光，以氧化第二介电材...

本发明公开一种形成半导体器件的方法。层间介电质(inter-poly?dielectric;IPD)层叠的氮层是使用硅烷与氮等离子体沉积而产生氮化物层，所述氮化物层在所述层整个厚度上皆受到等离子体处理。除了氮化所述层叠的底部氮化物层之外...

本发明所描述的基板处理系统具有定位于处理腔室内部的电容耦合式等离子体(CCP)单元。CCP单元可包括在第一电极与第二电极之间形成的等离子体激发区域。第一电极可包括多个第一开孔以准许第一气体进入等离子体激发区域，且第二电极可包括多个第二开...

描述形成多晶硅层的方法。所述方法包括在含有沉积基板的基板处理区域中从硅前驱物形成高密度等离子体。所描述的方法在相对于现有技术降低的基板温度（例如，＜500℃）下产生多结晶膜。偏压等离子体功率调整的可行性更使得所形成的多晶硅层的共形性的调...

本实用新型的一个实施例提供一种用于转移基板及限制自由基的箍组件。本实用新型的实施例提供一种用于在腔室内转移基板及限制处理环境的设备。箍组件包括:限制环，该限制环于该限制环内限定限制区；及三或更多个升降指，该三或更多个升降指附接于该箍。该...

提供了一种用于溅射沉积装置的阴极组件（130、200、300、400）以及用于涂布基板的方法。阴极组件具有用于在基板上涂布的涂布侧。此外，阴极组件包括：旋转靶组件，所述旋转靶组件适合于围绕旋转轴（220、320、420）旋转靶材料（21...

本发明一般描述用来在衬底的预期区域上执行退火处理的一种或多种设备及多种方法。在一实施例中，传送一定量的能量至衬底表面以优先熔化衬底的某些预期区域，以去除先前处理步骤造成的不需要的损害，而使掺杂剂更均匀地分布在衬底的各个区域内，和／或活化...

用于在等离子体蚀刻反应器中蚀刻基板的方法可包括：(a)使用从第一工艺气体所形成的第一反应性物种在特征结构的表面上沉积聚合物，所述第一工艺气体包含聚合物形成气体，所述特征结构被形成在基板中，所述基板设置在所述蚀刻反应器中；(b)使用从第三...

本发明提供一种闪存装置及形成所述闪存装置的方法，本发明尤其涉及一种具有氮化硅电荷陷阱层的非挥发性内存。在一个版本中，所述闪存装置包括掺杂氮化硅层，所述掺杂氮化硅层具有包含碳、硼或氧的掺杂剂。所述掺杂氮化硅层在所述层中产生较高数目且较高浓...

本发明的实施例通常使用改良的微波辅助CVD腔室来提供含硅介电层的沉积工艺。在一个实施例中，提供一种在处理腔室中的基板的处理方法。此方法大致包括：将微波功率施加给天线，此天线耦接至配置在处理腔室之内的微波源，其中微波源被相对地配置在气体馈...

本发明公开用于控制流向处理腔室的流量的装置和方法。该装置包括：流量计；入口管，该入口管与该流量计流体连通；出口管，该出口管与该流量计的该出口流体连通；和绝热体，该绝热体围绕该流量计的至少一部分、该入口管的至少一部分和该出口管的至少一部分。