一种直通硅穿孔制造方法包括：在硅板中蚀刻多个直通孔。将氧化物衬垫沉积在硅板的表面上并且沉积在直通孔的侧壁及底壁上。然后，在直通孔中沉积金属导体。在可与氧化物衬垫同时使用的另一方案中，将氮化硅钝化层沉积在基板的硅板的暴露后表面上。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：N·拉贾戈帕兰，朴智爱，R·雅玛西，S·帕特尔，T·诺瓦克，LQ·夏，金秉宪，R·丁，J·巴尔迪诺，M·奈克，S·拉马斯瓦米，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：
国别省市：
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