用于高电容应用的氧化侧壁介电质的脉冲方法技术

本发明专利技术提供了用于制造存储单元的系统、方法和设备。本发明专利技术包括：在第一介电材料中形成特征，所述特征具有侧壁；在所述特征的侧壁上形成第一导电材料；将具有第二介电材料的层沉积至导电材料上；以及使第二介电材料接触氧化物质和紫外光，以氧化第二介电材料。本发明专利技术揭示了许多附加方面。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：B·谢，A·T·迪莫斯，J·C·罗查阿尔瓦雷斯，S·巴录佳，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：
国别省市：