用于RF PVD腔室且能均匀调整的ESC接地套件制造技术

技术编号:9241425 阅读:155 留言:0更新日期:2013-10-10 05:25
本发明专利技术的实施例一般涉及用于半导体处理腔室的接地套件和具有接地套件的半导体处理腔室。更具体地说,在此描述的实施例涉及建立不对称接地路径的接地套件,该不对称接地路径经选择以显著地减少由偏离中心的RF功率输送所引发的不对称性。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员:穆罕默德·M·拉希德汪荣军清·X·源艾伦·A·里奇
申请(专利权)人:应用材料公司
类型:
国别省市:

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