【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】屏蔽件和处理套件相关申请本技术的实施例大致涉及半导体处理腔室的处理套件以及具有套件的半导体处理腔室。更明确地，本技术的实施例涉及用于物理气相沉积腔室且包括盖环、屏蔽件与绝缘件的处理套件。
技术介绍
物理气相沉积(PVD)或溅射是电子组件制造最常用处理之一。PVD是执行于真空腔室中的等离子体处理，其中负偏压靶材是暴露于具有相当重原子(例如，氩(Ar))的惰性气体或包含上述惰性气体的气体混合物的等离子体。惰性气体的离子对靶材的轰击造成靶材材料的原子射出。射出的原子在衬底上累积成沉积的薄膜，衬底置放于设置于腔室中的衬底支撑基座上。处理套件可设置于腔室中以助于相对于衬底在腔室中的期望区域内界定处理区域。处理套件通常包括盖环、沉积环与接地屏蔽件。将等离子体与射出原子局限于处理区域有助于维持腔室中的其它部件不受沉积材料影响，并因为较高百分比的射出原子沉积于衬底上而促进更有效地利用靶材材料。虽然传统环与屏蔽件设计具有稳定的处理历史，但临界尺寸的降低造成越来越注意腔室中的污染源。随着衬底支撑基座在传送与处理位置之间升起与下降，环与屏蔽件周期性地接触彼此，这种传统设计是微粒污染的可能来源...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2010.01.29 US 61/299,470书所限定。权利要求1.一种物理气相沉积腔室的屏蔽件,其包括: 圆柱形外带； 圆柱形内带； 基部平板，其将所述圆柱形外带与所述圆柱形内带耦接以形成单件式单一构件；及 多个球体,其I禹接至所述圆柱形内带,所述球体向所述圆柱形内带的内部径向延伸。2.根据权利要求1所述的屏蔽件，还包括: 多个圆柱形支架，每个支架中插入有所述球体当中的相应一者，所述圆柱形支架设置于所述圆柱形内带中形成的孔洞中。3.根据权利要求2所述的屏蔽件，其中所述孔洞围绕所述圆柱形内带均匀地分隔开。4.一种围绕溅射靶材面对衬底处理腔室中的衬底支撑件的溅射表面的屏蔽件，所述屏蔽件包括: 圆柱形外带，其具有尺寸经设计以围绕所述溅射靶材的所述溅射表面的第一直径，所述圆柱形外带具有尺寸经设计以围绕所述溅射表面的顶部端以及尺寸经设计以围绕所述衬底支撑件的底部端； 倾斜梯部，其具有大于所述第一直径的第二直径，所述倾斜梯部从所述圆柱形外带的顶部端径向向外延伸； 安装凸缘，其从所述倾斜梯部径向向外延伸； 基部平板，其从所述圆柱形带的底部端径向向内延伸；及 圆柱形内带，其耦接于所述基部平板，且所述圆柱形内带的尺寸经设计以围绕所述衬底支撑件的周边边缘，其中所述圆柱形内带具有多个孔洞，所述多个孔洞中的每一者用以容纳置中机构，以均匀地围绕所述屏蔽件的直径维持所述屏蔽件与盖环之间的受控制的间隙。5.根据权利要求4所述的屏蔽件，其中用以相对所述盖环置中所述屏蔽件的所述置中机构包括: 球体，其提供与所述盖环的点接触。6.根据权利要求4所述的屏蔽件，其中所述多个孔洞围绕所述屏蔽件的直径均匀地分隔开。7.根据权利要求4所述的屏蔽件，其中所述圆柱形外带、所述倾斜梯部、所述安装凸缘、所述基部平板与所述圆柱...
【专利技术属性】
技术研发人员：劳拉·郝勒查克，希兰库玛·萨万戴亚，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：
国别省市：
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