【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及用于衬底处理室的处理配件和靶材。
技术介绍
在处理诸如半导体晶圆和显示器的衬底的过程中，将衬底放置在处理室中并设定处理室中的处理条件以在该衬底上沉积或者蚀刻材料。典型的处理室包括多个室部件，所述多个室部件包括包围处理区的围墙壁、用于在室内提供气体的气源、对处理气体施加能量以处理衬底的激发器、用于保持衬底的衬底支架，以及去除废气并保持室内气压的排气装置。该室可以包括CVD、PVD和蚀刻室。在PVD室中，溅射靶材以促使靶材料沉积在与靶材相对的衬底上。在溅射工艺中，将惰性气体或者反应气体提供到室内，通常对靶材施加电偏压，并且对衬底保持某一浮动电压，从而在室内产生导致靶材溅射的等离子体。PVD室可以包括包含室部件的处理配件，将该室部件设置在衬底支架处以减少在室侧壁或者其他区域上沉积PVD形成物。例如，典型的PVD室处理配件可以包括沉积、覆盖和/或遮蔽环，所有这些均位于衬底的周围。设置不同的环结构来接收溅射沉积，否则这些沉积物将会聚集在支架的侧面或者衬底的暴露背面上。该处理配件还可以包括通过采用容纳表面来接收PVD溅射沉积物从而保护室侧壁的室护板和内衬，否则...
【技术保护点】
一种在衬底处理室中用于在衬底支架周围保持沉积环的固定组件，所述沉积环包括具有固定柱的外围凹槽，并且所述固定组件包括：（a）可以与所述衬底支架连接的限制梁，所述限制梁包括两端；（b）防升托架，所述防升托架包括：（i）包括用于容纳限制梁一端的直通通道的部件；和（ii）与所述部件连接的固定环，设计所述固定环的尺寸使所述固定环在所述沉积环的所述外围凹槽中的所述固定柱上部滑动，并且其中所述直通通道适于在所述限制梁一端上滑动使得所述固定环环绕所述固定柱。
【技术特征摘要】
2005.10.31 US 60/732,324;2006.10.27 US 11/553,9821.一种在衬底处理室中用于在衬底支架周围保持沉积环的固定组件，所述沉积环包括具有固定柱的外围凹槽，并且所述固定组件包括: Ca)可以与所述衬底支架连接的限制梁，所述限制梁包括两端； (b)防升托架，所述防升托架包括: (i)包括用于容纳限制梁一端的直通通道的部件；和 ( )与所述部件连接的固定环，设计所述固定环的尺寸使所述固定环在所述沉积环的所述外围凹槽中的所述固定柱上部滑动，并且 其中所述直通通道适于在所述限制梁一端上滑动使得所述固定环环绕所述固定柱。2.根据权利要求1所述的组件，其中所述限制梁包括插脚端，并且所述直通通道包括椭圆形孔，所述椭圆形孔的大小大于所述插脚端。3.根据权利要求1所述的组件，还包括位于所述防升托架和所述限制梁之间的陶瓷隔离器。4.一种在衬底处理室中可以围绕与衬底支架相对的溅射靶材的溅射表面的整体护板，所述护板可以减少沉积在所述支架和所述室侧壁上的溅射沉积物，所述护板包括: (a)具有围绕所述溅射靶材的溅射表面和所述衬底支架的直径尺寸的圆柱形外部带，所述外部带具有顶端和底端，所述顶端具有与所述溅射靶材相邻沿径向向外的锥形表面； (b)从所述外部带底端向 内径向延伸的...
【专利技术属性】
技术研发人员：凯瑟琳·沙伊贝尔，迈克尔·艾伦·弗拉尼根，良土芽吾一，阿道夫·米勒·艾伦，克里斯托弗·帕夫洛夫，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。