本文提供改善减少颗粒的设备。在某些实施例中，设备可包括处理套件屏蔽，处理套件屏蔽包括整体式金属主体，整体式金属主体具有上部和下部并具有开口，开口穿过整体式金属主体设置，其中上部包括面向开口的表面，面向开口的表面配置为设置在物理气相沉积腔室的靶材周围且与所述靶材间隔，且其中在从物理气相沉积腔室的靶材溅射靶材材料的过程中，面向开口的表面配置为限制颗粒沉积在整体式金属主体的上部的上表面上。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于改善减少颗粒的处理套件屏蔽MM本专利技术实施例一般涉及基板处理设备，更具体地说，本专利技术实施例涉及用于基板处理设备中的处理套件屏蔽。背景举例而言，处理套件屏蔽可用于射频物理气相沉积(RF-PVD)腔室中以分隔处理空间和非处理空间。一般而言，处理套件屏蔽包括两个分隔部件，两个分隔部件为金属下部和陶瓷上部，其中陶瓷上部是用来避免RF-PVD腔室的靶材与处理套件屏蔽的金属下部之间产生电弧。遗憾地是，例如专利技术人已经发现颗粒聚集在处理套件屏蔽的陶瓷上部的表面上以及处理套件屏蔽的金属下部与陶瓷上部之间的空间中，所述颗粒诸如是来自靶材的靶材材料形成的颗粒,所述祀材设置在RF-PVD腔室的处理空间(processing volume)中。最终，聚集的颗粒会沉积于在处理空间中被处理的基板的表面上，举例而言，上述沉积会在基板上形成的装置中产生缺陷或者通常会污染在基板上形成的层。因此，专利技术人已经提供本文公开的处理套件屏蔽来解决与来自处理套件屏蔽的颗粒污染有关的问题。概沭本文提供用于改善减少颗粒的设备。在某些实施例中，设备可包括处理套件屏蔽,处理套件屏蔽包括整体式金属主体,整体式金属主体具有上部和下部并具有开口，开口穿过整体式金属主体设置，其中上部包括面向开口的表面，面向开口的表面配置为设置在物理气相沉积腔室的靶材周围且与靶材间隔，且其中在从物理气相沉积腔室的靶材溅射靶材材料的过程中，面向开口的表面配置为限制颗粒沉积在整体式金属主体的上部的上表面上。在某些实施例中，设备可包括处理腔室，处理腔室具有处理空间和非处理空间；基板支撑件，基板支撑件设置在处理腔室中；靶材，靶材设置在处理腔室中且与基板支撑件相对；和处理套件屏蔽，处理套件屏蔽设置在处理腔室中且分隔处理空间与非处理空间，处理套件屏蔽包括整体式金属主体，整体式金属主体具有上部和下部并具有形成在整体式金属主体的内部空间中的处理空间，且处理空间在基板支撑件与靶材之间，其中上部包括面向处理空间的表面，面向处理空间的表面配置为设置在靶材周围且与靶材间隔，且其中在从靶材溅射靶材材料的过程中，面向处理空间的表面配置为限制颗粒沉积在整体式金属主体的上部的上表面上。以下描述本专利技术的其它实施例和进一步实施例。附图简要说明可参照图示于附图中的本专利技术说明性实施例来理解以上简要概述的和以下更详细讨论的本专利技术的实施例。然而应注意的是，附图仅图示本专利技术的典型实施例，因此不应视为对本专利技术的范围的限制，因为本专利技术可允许其它同等有效的实施例。图I图示根据本专利技术某些实施例的处理腔室的示意截面图。图2图示根据本专利技术某些实施例的处理套件屏蔽的示意截面图。图3A至图3D图示根据本专利技术某些实施例的处理套件屏蔽的示意截面图。为了帮助理解，在可能的情况下，可使用相同标号来表示各附图中共有的相同元件。附图未按比例绘制且可为了清楚而加以简化表示。预期一个实施例的元件与特征可有利地并入其它实施例而不需进一步详述。具体描沭本文提供用于在处理腔室中改善减少颗粒的设备。本专利技术的处理套件屏蔽可有利地在RF-PVD工艺过程中减少颗粒形成在处理套件屏蔽的表面上，同时限制在处理套件屏蔽与靶材之间的电弧生成。·图I图示根据本专利技术某些实施例的物理气相沉积腔室(处理腔室100)的示意截面图。适当PVD腔室的实例包括ALPS Plus和SIP ENCORE PVD处理腔室，上述两种处理腔室均可自加州圣克拉拉市的应用材料公司(AppliedMaterials, Inc.)购得。其它来自应用材料公司或其它制造商的其它处理腔室也可受益于本文公开的本专利技术设备。处理腔室100包括基板支撑基座102和溅射源，所述基板支撑基座102用于在其上接收基板104,所述派射源例如是祀材106。基板支撑基座102可位于接地围壁(groundedenclosure wall) 108中，所述接地围壁108可为腔室壁(如图所示)或接地屏蔽，(图中图示接地屏蔽140覆盖腔室100在靶材106上方的至少某些部分。在某些实施例中，接地屏蔽140也可延伸于靶材下方以封围基座102)。处理腔室包括管状馈送结构110，所述管状馈送结构110用于耦接RF和DC能量至靶材106。馈送结构为耦接RF和DC能量至靶材的设备，或者例如本文所述的馈送结构为耦接RF和DC能量至包括靶材的组件的设备。本文所用的管状通常代表具有任何一般截面的中空部件，并非仅代表具有圆形截面的中空部件。馈送结构110包括主体112，所述主体112具有第一端114以及与第一端114相对的第二端116。主体112进一步包括中央开口115，所述中央开口 115从第一端114穿过主体112而至第二端116设置。馈送结构110的第一端114可以被耦接至RF功率源118和DC功率源120，RF功率源118和DC功率源120可分别用来提供RF和DC能量至靶材106。举例而言，DC功率源120可用来施加负电压或偏压至靶材106。在某些实施例中，由RF功率源118供应的RF能量频率范围可为约2MHz至约60MHz，或者举例而言，可使用非限制性RF能量频率诸如2MHz、13. 56MHz、27. 12MHz或60MHz。在某些实施例中，可提供多个RF功率源(即，两个或更多个)以便在多个上述频率下提供RF能量。可由适当的导电材料制造馈送结构110以传导来自RF功率源118和DC功率源120的RF和DC能量。馈送结构110可具有适当长度，馈送结构110的适当长度可促进个别的RF和DC能量围绕馈送结构Iio周边的实质均匀分布。举例而言，在某些实施例中，馈送结构110的长度可在约I英寸至约12英寸之间，或者馈送结构110的长度可为约4英寸。在某些实施例中，主体的长度与内径比可为至少约I :1。提供至少I :1或更长的比例提供从馈送结构110更均匀的RF输送，(即RF能量更均匀地分布在馈送结构周围以便让RF耦接接近馈送结构110的真实中心位置。馈送结构110的内径(即，中央开口 115的直径)尽可能越小越好，例如中央开口 115的直径在约I英寸至约6英寸之间，或者中央开口 115的直径为约4英寸。提供较小的内径促进改善长度与内径的比例，而无需增加馈送结构110的长度。主体112的第二端116耦接至源分布板122。源分布板包括孔124，所述孔124穿过源分布板122设置并与主体112的中央开口 115对齐。可由适当导电材料制造源分布板122以传导来自馈送结构110的RF和DC能量。源分布板122可经由传导部件125耦接至靶材106。传导部件125可为具有第一端126的管状部件，所述第一端126在源分布板122的周边边缘附近而耦接至源分布板122的面向靶材的表面128。传导部件125进一步包括第二端130，所述第二端130在靶材106的周边边缘附近而耦接至靶材106的面向源分布板的表面132 (或靶材106的背板146)。空腔(cavity) 134可由传导部件125的面向内部的壁、源分布板122的面向靶材的表面128和靶材106的面向源分布板的表面132所限定。空腔134经由源分布板122的孔124流体耦接至主体112的中央开口 115。如图I所示和以下进一步描述，空腔134和主体112的中央开口 115可用来至少部分地容纳可旋转磁控管本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：穆罕默德·拉希德，汪荣军，刘振东，付新宇，唐先民，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：
国别省市：
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