用于使用独立光源的晶片温度测量的方法和设备技术

本发明专利技术提供了用于使用独立光源的晶片温度测量的方法和设备。在蚀刻处理期间测量衬底温度的设备包括：形成在衬底支撑表面中的一个或多个窗口；被构造为脉冲产生第一信号的第一信号发生器；以及定位为接收从第一信号发生器透射穿过一个或多个窗口的能量的第一传感器。在蚀刻处理期间测量衬底温度的方法包括：使用辐射能量加热衬底；脉冲产生第一光；在第一光被脉冲打开时确定表征穿过衬底的总透射率的度量值；在第一光被脉冲关闭时确定表征穿过衬底的背景透射率的度量值；以及确定衬底的处理温度。

【技术实现步骤摘要】
用于使用独立光源的晶片温度测量的方法和设备
本专利技术的各个方面一般涉及用于测量半导体衬底温度的方法和设备。此外，本专利技术的各个方面涉及在红外加热环境中进行非接触式晶片温度测量。更具体地，本专利技术的各个方面涉及通过衬底红外发射来测量蚀刻工艺中的半导体衬底温度的方法。
技术介绍
超大规模集成(ULSI)电路可以包括大于10亿个电子器件(例如，晶体管)，这些电子器件形成在半导体衬底(诸如硅(Si)衬底)上并且合作来执行器件内的各种功能。在处理期间，在衬底表面上有时执行大量的热处理步骤。热处理通常需要用于工艺控制的精确衬底温度测量。不正确的衬底温度控制可能导致会不利地影响器件性能并且/或者导致衬底膜材料损坏的差的处理结果。不同类型的温度测量工具可以被用来测量处理期间的衬底温度。例如，热电偶通常被用来通过在衬底表面上的预定位置处与衬底物理接触而测量衬底温度。然而，对于更大直径的衬底，由于测量位置之间的大的距离，沿着衬底表面的整体温度变化难以确定。此外，热电偶与衬底表面的热物理接触的可靠性难以被控制并且具有污染的担忧。或者，有时用光学高温计来测量衬底温度。通过光学高温计传感器来测量在处理期本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种在蚀刻处理期间测量衬底温度的设备，其包括：室主体，其具有封闭所述室主体的室盖；衬底支撑组件，其被布置在所述室主体中并且具有衬底支撑表面；一个或多个窗口，其形成在所述衬底支撑表面中；第一信号发生器，其被构造为脉冲产生第一信号，其中，所述第一信号发生器经由所述衬底支撑组件光学地耦合到所述一个或多个窗口，使得脉冲产生的信号能够透射穿过所述一个或多个窗口；以及第一传感器，其定位为接收从所述第一信号发生器透射穿过所述一个或多个窗口的能量，其中，所述第一传感器被构造为检测表征透射率的度量值。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：贾瑞德·艾哈迈德·李，吉萍·李，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：发明
国别省市：