用于经改良的研磨垫外形的闭回路控制制造技术

本文所描述的实施例使用调节拂掠的闭回路控制(closed-loop?control；CLC)，以在整个垫寿命期间赋能跨越该垫的均匀沟槽深度移除。整合至调节臂中的一感测器能现场且即时监控该垫堆迭厚度。自该厚度感测器的反馈用于修改跨越该垫表面的垫调节器驻留时间，而校正随该垫及盘老化而可能出现的该垫外形中的漂移。垫外形CLC在连续调节情况下赋能沟槽深度的均匀缩减，进而提供较长的消耗品寿命及降低的操作成本。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本文所描述的实施例大体而言关于基板的平坦化。更特定言之，本文所描述的实施例关于研磨垫的调节。
技术介绍
O. 25微米以下(Sub-quarter micron)多层金属化为用于下一代超大型积体电路(ultra large-scale integration ；ULSI)的诸关键技术的一。为此项技术核心的多层互连需要对以高深宽比孔径形成的互连特征结构(包括触点、通孔、凹沟及其他特征结构)进行平坦化。该等互连特征结构的可靠形成对于ULSI的成功及持续努力以提高个别基板及模上的电路密度及品质极其重要。使用顺序材料沈积及材料移除技术在基板表面上形成多层互连，以在多层互连中形成特征结构。当顺序沈积且移除诸材料层时，基板的最高表面在其表面上可能变为非平面，且基板的最高表面在进一步处理之前需要进行平坦化。平坦化或「研磨」为将材料自基板的表面移除以形成大体而言均匀、平坦的表面的工艺。平坦化用于移除过量沈积材料、移除非所欲表面构形及表面缺陷(诸如，表面粗糙度、附聚材料、晶格损坏、刮痕及受污染层或材料)，以提供用于随后光蚀刻及其他半导体工艺的均匀表面。化学机械平坦化或化学机械研磨(Chemical本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：S·瀚达帕尼，钱隽，C·D·可卡，J·G·冯，张寿松，C·C·加勒特森，G·E·蒙柯，S·D·蔡，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：
国别省市：