【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术的实施例一般地涉及等离子体处理设备,且更具体地涉及在等离子体处理 腔室内处理工件期间控制温度的方法。
技术介绍
在等离子体处理腔室(诸如等离子体蚀刻或等离子体沉积腔室)中,腔室部件的温度通常都是处理期间要控制的重要参数。举例而言,衬底固定座(通称为夹具或台座)的温度可以受到控制,以在处理配方期间将工件加热/冷却至各种受控制温度(例如以控制蚀刻率)。同样地,在处理配方期间,喷头/上电极或其它部件的温度也可受控制,以影响处理(例如蚀刻率均匀性)。通常,等离子体处理腔室的设计中的各种限制都需要将传热介质引导至温度受控制部件,以致于在部件的非期望的部分内产生传热。举例而言,当处理气体分布喷头或工件夹具具有可独立受控以分隔开设定点温度或更好地管理区域间的相异热负荷的多个区域时,用以控制第一温度区域(也即,目标区域)的传热介质也可在到目标温度区域或离开目标温度区域的途中行进至接近第二温度区域(也即,旁侧区域)。因此,独立驱动多个温度区域会在区域之间产生明显的串扰、以及在旁侧区域内产生明显的温度不均匀性。
技术实现思路
用于在等离子体处理设备执行等离子体处理时控制处理或 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员:科坦·马哈德斯瓦拉萨瓦米,卡洛·贝拉,拉瑞·D·艾利萨迦,
申请(专利权)人:应用材料公司,
类型:
国别省市:
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