用于调整电偏斜的等离子体处理装置与衬管组件制造方法及图纸

本发明专利技术揭示一种等离子体处理装置，该等离子体处理装置包含腔室盖、腔室主体及支撑组件。该腔室主体界定处理容积，该处理容积用于含有等离子体，该腔室主体用于支撑该腔室盖。该腔室主体由腔室侧壁、底壁及衬管组件组成。该腔室侧壁及该底壁界定处理容积，该处理容积用于含有等离子体。该衬管组件设置在该处理容积内部，该衬管组件包含两个或两个以上狭槽，该狭槽在衬管组件上形成，该狭槽用于提供轴向对称的射频电流路径。该支撑组件支撑基板，以在该腔室主体内部进行处理。本发明专利技术使用具有若干对称狭槽的衬管组件，可防止该衬管组件的电磁场产生方位角不对称现象。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术大体而言涉及一种用于制造电子基板的等离子体处理装置，在该装置中通过施加于电极之间的射频电力来激发等离子体。更具体地，本专利技术涉及一种设置于该等离子体处理装置内部的衬管组件，该衬管组件用于平衡从该电极发射的射频电流流动。
技术介绍
通常通过一系列处理步骤来制造诸如平板显示器及集成电路的电子器件，在该步骤中，在基板上沉积层且该沉积材料经蚀刻成为所要的图案。该处理步骤通常包括物理气相沉积(physical vapor deposition ；PVD)、化学气相沉积(chemical vapor deposition ；CVD)、等离子体增强化学气相沉积(plasma enhanced CVD ；PECVD)及等离子体处理。具体而言，该等离子体处理需要将处理气体混合物提供给真空腔室，该真空腔室称为腔室主体；随后施加电气或电磁电力(射频电力)以激发该处理气体成为等离子体态。换言之，通过从电极发射的射频电流将该处理气体激发成为等离子体。该等离子体将气体混合物分解成离子物种，该离子物种执行所要沉积或蚀刻处理。通常，该基板可经由转移机构(例如机械叶片)从转移室输送至腔室主体，且该基板被本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：詹姆斯·D·卡达希，陈智刚，沙希德·劳夫，肯尼思·S·柯林斯，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：
国别省市：