等离子体处理装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种等离子体处理装置。等离子体处理装置（1）包括：反应室（100）；上部电极（200），配置在反应室（100）的内部，被施加电源以产生等离子体；多个调节部（400），与上部电极（200）连接，用于调节上部电极（200）的形状；以及下部电极（300），配置在反应室（100）的内部，用于搭载并支承基板（10）。等离子体处理装置（1）能够将用于施加高频的上部电极的形状调节成作业者所需形状，因此，能够反应室（100）内部的各部位均匀地产生等离子体。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及等离子体处理装置，更具体地说，涉及一种通过调节被施加高频的上部电极的形状，能够在反应室内部的每个部位均匀地产生等离子体的等离子体处理装置。
技术介绍
高频等离子体处理装置在制造或蚀刻用于太阳能电池、薄膜晶体管等的如非晶硅层、微晶硅层、多晶硅层、氮化硅层等半导体层或绝缘层时使用。 采用高密度等离子体制造或蚀刻半导体层或绝缘层时，以往，利用作为实用电源频率的13. 56MHz的无线电频率(RF)，然而，最近为了提高半导体层的生长速度、半导体层的特性或者半导体层的蚀刻速度等，通常利用30MHz以上的超高频(VHF)。
技术实现思路
技术问题一般地，利用30MHz以上的超高频，不会有太大的问题。然而，大面积基板的情况，由于电极的尺寸对应基板的尺寸而变大，因此，可能从电极产生驻波(standing wave)。具体地说，电极的尺寸变大，而电极的尺寸接近于超高频波长长度的一半时，有可能在电极产生驻波，驻波是波形在某一时刻不向左右推进而停止的波。由于这些驻波，在反应室内部可能产生非均匀的等离子体。例如，由于驻波，可能在电极的中央部附近所产生的等离子体的密度比电极的边缘高。等离子体的非均本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：李庆镐，
申请(专利权)人：泰拉半导体株式会社，
类型：
国别省市：