用于基板处理腔室的冷却遮蔽件制造技术

本发明专利技术提供一种处理套组（200），所述处理套组（200）包含上遮蔽件（201a），用以环绕住基板处理腔室（100）中的溅射靶材（140），以减少工艺沉积物沉积在腔室部件及基板悬伸边缘上。所叙述的遮蔽件为单一结构，所述单一结构具有在外表面（220）上的顶环（216）、支撑支架（226）和具有多个阶梯（223）的圆筒状箍（214），以及具有在内表面（219）上的倾斜平面（221a）和垂直平面（221b）。顶环包括具有拱形表面的径向向内凸块（217），该拱形表面塑造成可以环绕该溅射靶材的倾斜外围边缘。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术的实施例涉及一种用于基板处理腔室中的遮蔽件。·
技术介绍
在集成电路及显示器的工艺中，诸如半导体晶片或显示面板等基板会放置在处理腔室中，并且设定腔室内的处理条件以在基板上沉积或蚀刻材料。典型的处理腔包含多种腔室部件，所述腔室部件包括用以圈出处理区域的圈围室壁、提供工艺气体至腔室中的气体供应器、激发工艺气体以处理基板的气体激发器(energizer)、用以排放及去除用毕气体且维持腔内压力的气体出口，以及用以支撑基板的基板支撑件。此类腔室可包括例如溅射或物理气相沉积室(PVD)、化学气相沉积室(CVD)以及蚀刻室。在PVD腔室中，靶材受到溅射而造成溅射出的靶材材料沉积在位于靶材对面处的基板上。在溅射工艺中，供应含有惰性气体与反应性气体的工艺气体至腔室中。激发工艺气体以形成能量化离子来轰击靶材，而将材料从靶材上溅击出来并且沉积在基板上而形成薄膜。在这些溅射工艺中，从靶材溅射出来的材料会顺着这些用来接收溅射材料的遮蔽件或内衬再次沉积，以保护与避免材料沉积在腔室侧壁与其他腔室部件的表面上。然而，并不希望在遮蔽件或内衬上累积与结集再沉积材料，因为此类累积沉积物可能脱落与剥离，而掉落至本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种下遮蔽件，所述下遮蔽件用以在基板处理腔室中设置在上遮蔽件和基板支撑件的周围，所述基板支撑件具有外围边缘，所述下遮蔽件包括：(a)环形箍，所述环形箍向下延伸出曲形接合部；以及(b)内凸唇部，所述内凸唇部从所述曲形接合部水平地延伸出，所述内凸唇部包含径向向内边缘，且所述径向向内边缘至少部分地环绕着所述基板支撑件的所述外围边缘。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：克里斯托夫·马克·帕夫洛夫，凯瑟琳·沙伊贝尔，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：发明
国别省市：