具有中心馈送射频能量的用于物理气相沉积的装置制造方法及图纸

在某些实施例中，一种用来将射频能量耦接至靶材的馈送结构可包括：主体，该主体具有用来接收射频能量的第一末端和与该第一末端相对以将该射频能量耦接至靶材的第二末端，该主体进一步具有被设置为从该第一末端至该第二末端贯穿该主体的中心开口；第一部件，该第一部件在该第一末端处耦接至该主体，其中该第一部件包括外接该主体且从该主体径向向外延伸的第一元件，和设置在该第一部件中以从射频电源接收射频能量的一个或多个端子；和源分布板，该源分布板耦接至该主体的该第二末端以将该射频能量分布至该靶材，其中该源分布板包括被设置为贯穿该板且与该主体的该中心开口对准的孔。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】具有中心馈送射频能量的用于物理气相沉积的装置领域本专利技术的实施例一般涉及物理气相沉积处理设备。背景某些常规射频(radiofrequency;RF)物理气相沉积(physical vapordeposition;PVD)腔室经由I禹接至派射革巴材的电气馈送件(electrical feed)向派射革巴材提供RF和直流电(DC)能量。本专利技术的专利技术者发现具有耦接至靶材的RF和DC能量的常规PVD腔室在所处理的基板上提供不均勻的沉积分布(deposition profile)。因此，本专利技术的专利技术者提供一种经改良的RF馈送结构及结合该RF馈送结构的PVD腔室。 概述本专利技术提供用于物理气相沉积的方法和装置。在某些实施例中，一种用来将射频能量耦接至物理气相沉积腔室中的靶材的馈送结构可包括主体，所述主体具有用来接收射频能量的第一末端和与所述第一末端相对以将所述射频能量耦接至靶材的第二末端，所述主体进一步具有中心开口，所述中心开口被设置为从所述第一末端至所述第二末端贯穿所述主体；第一部件，所述第一部件在所述第一末端处耦接至所述主体，其中所述第一部件包括外接所述主体且自所述主体径向本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：穆罕默德·拉希德，拉拉·哈夫雷查克，迈克尔·S·考克斯，唐尼·扬，基兰库马·文德亚，艾伦·里奇，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：
国别省市：