【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】宽范围晶圆温度控制的多功能加热器/冷却器基座专利技术背景专利
本专利技术的实施例大致关于半导体处理腔室，且更具体地，关于半导体处理腔室的加热支撑基座。相关技术的描述半导体处理包括数个不同的化学与物理处理，通过此在基板上产生精密的集成电路。通过包括化学气相沉积、物理气相沉积、外延生长等的处理产生构成集成电路的材料层。利用光刻胶掩模与湿或干蚀刻技术来图案化某些材料层。用以形成集成电路的基板可为硅、砷化镓、磷化铟、玻璃或其它合适的材料。·在集成电路的制造中，等离子体处理通常用来沉积或蚀刻不同的材料层。等离子体处理相对于热处理提供了多个优点。举例而言，等离子体增强化学气相沉积(PECVD)可使沉积处理以相比在类似热处理中实现的温度和沉积速率更低的温度和更高的沉积速率来执行。因此，PECVD有利于热预算紧张的集成电路制造，诸如超大规模或极大规模集成电路(VLSI或ULSI)器件制造。用于这些处理的处理腔室通常包括基板支撑件或基座，所述基座配置于所述处理腔室中以在处理过程中支撑基板。在某些处理中，基座可包括嵌入式加热器，所述嵌入式加热器适于控制基板的温度与/或提供可用于处...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2009.12.18 US 12/641,8191.一种用于半导体处理腔室的基座，包括 基板支撑件，包括导电材料并具有接收基板的支撑表面； 电阻式加热器，密封于所述基板支撑件中；及 中空轴，在第一端耦接至所述基板支撑件并在第二端耦接至相配接ロ，所述中空轴包括: 轴主体，具有中空核心；及 冷却通道组件，环绕所述中空核心并配置于所述轴主体中，以通过内部冷却路径从所述基座移除热量，其中所述基板支撑件具有热控制间隙，所述热控制间隙位于所述加热元件与环形冷却通道之间。2.如权利要求I所述的基座，其特征在于，所述电阻式加热器包括加热元件，所述加热元件具有中心密集图案，以提供匹配且补偿基板热损失的辐射加热分布。3.如权利要求I所述的基座，其特征在于，所述冷却通道组件具有 环形冷却通道； 冷却通道入ロ，用以输送热传送流体至所述环形冷却通道 '及 冷却通道出ロ，用以从所述环形冷却通道移除所述热传送流体。4.如权利要求3所述的基座，其特征在于，所述环形冷却通道组件还包括流体再循环器，所述流体再循环器耦接于所述冷却通道入口与所述冷却通道出口，以供应所述热传送流体至所述环形冷却通道。5.如权利要求4所述的基座，其特征在干，所述冷却通道入ロ纵向延伸通过所述轴主体。6.如权利要求I所述的基座，其特征在于，所述热控制间隙由下列形成 上壁； 相对下壁；及 周围壁，围绕所述热控制间隙，其中所述周围壁是圆形的，从而使所述热控制间隙为圆形形状。7.如权利要求6所述的基座，其特征在干，所述热控制间隙的直径在约7.6cm与约10. 2cm之间，而所述热控制间隙的高度在约Icm与约I. 3cm之间。8.如权利要求6所述的基座，其特征在于，所述电阻式加热器的顶部位于离所述基板支撑件的支撑表面为约O. 3cm与约2cm之间的距离处，而所述热控制间隙的上壁位于离所述支撑表面为约I. 3cm与约3. 8cm之间的距离处。9...
【专利技术属性】
技术研发人员：叶立耀，T·A·M·恩古耶，D·R·杜鲍斯，S·巴录佳，T·诺瓦克，J·C·罗查阿尔瓦雷斯，周建华，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：
国别省市：
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