制造双面装备有芯片的晶片的方法技术

本发明专利技术涉及一种用于制造特别是双面装备有芯片（12,15）的产品晶片（1）的方法，具有以下流程：处理该产品晶片的第一面（3）；通过该产品晶片的第一面（3）在硬性的第一载体晶片（8）上将该产品晶片与第一中间层（18）相接合，该第一中间层由至少施加在边缘侧的第一附着层（6）构成；处理该产品晶片的与第一面相对置的第二面；通过该产品晶片的第二面在硬性的第二载体晶片（13）上将该产品晶片与第二中间层（17）相接合，该第二中间层由至少施加在边缘侧的第二附着层（14）构成；其中，将第一中间层和第二中间层构造为不同的，使得能够选择性地使第一载体晶片（8）在第二载体晶片（13）之前与产品晶片分离。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种如权利要求I所述的制造特别是双面装备有芯片的产品晶片的方法。
技术介绍
目前生产的绝大多数晶片都仅是在一面装备有芯片或者所谓的磁片。晶片的装备以批量制造进行，而同时存在实现越来越小的结构的工业需求。对于晶片的厚度也是如此，特别是对于多重堆叠的多层晶片。对所提供的空间的进一步优化利用导致近来越来越多地要求双面、即在两面装备 有芯片或磁片的晶片，其中，Through Silicon Vias (TSV,通过娃穿孔)使产品晶片的前面和背面之间的电接触成为可能。制造这样的双面晶片的最大问题在于在可能包括不同生产步骤(例如接合、去接合、对齐、磨光、蚀刻等等)的批量生产期间的处理。特别是由于在生产过程中设置的对产品晶片的薄化/再薄化(Riickdiinnung),要求通过载体晶片来使大面积、大多具有300毫米直径的产品晶片稳定。因此对于单面装备的晶片来说，通过载体晶片进行稳定或支承就已经相对简单，因为可以将载体晶片临时结合到背向装备芯片面的一面。但在此也可能需要在正面和背面上的过程步骤。通常在临时接合中存在这样的问题对经历了不同的生产步骤的产品晶片在这些生产步骤结束之后要将其本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

【专利技术属性】
技术研发人员：J布格拉夫，M温普林格，H韦斯鲍尔，
申请(专利权)人：EV集团E·索尔纳有限责任公司，
类型：发明
国别省市：