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宽范围晶圆温度控制的多功能加热器/冷却器基座制造技术
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文档序号:8134019
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本发明的实施例大致关于半导体处理腔室,且更明确地,关于半导体处理腔室的加热支撑基座。在一个实施例中,提供半导体处理腔室的基座。基座包括:基板支撑件,基板支撑件包括导电材料并具有接收基板的支撑表面;电阻式加热器,密封于基板支撑件中;中空轴,在...
该专利属于应用材料公司所有,仅供学习研究参考,未经过应用材料公司授权不得商用。
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