一种光刻设备，包括：辐射源，配置成产生辐射束；和支撑件，配置成支撑图案形成装置。所述图案形成装置配置成将图案赋予辐射束以形成图案化的辐射束。腔定位在辐射源和图案形成装置之间。所述腔包含配置成反射辐射束的至少一个光学部件，所述腔配置成允许...

本发明公开了一种流体处理结构、光刻设备和器件制造方法。用于光刻设备的流体处理结构用以将液体限制到空间，所述流体处理结构在围绕所述空间的下表面上具有液体供给开口用以供给液体到流体处理结构的下表面上，并且相对于液体供给开口的空间在径向内侧具...

一种光刻设备包括部件和用以应用局部冷却负载至所述部件的局部冷却器。局部冷却器具有气体通道，气体通道包括在所述部件上游的流量限制装置并且配置成引导流出流量限制装置的气体的流动以冷却所述部件的表面。

本发明公开了将图案应用至衬底的方法、器件制造方法以及用于这些方法的光刻设备。衬底被装载到光刻设备的衬底支撑结构上，之后设备测量衬底对准标记的位置。这些测量限定第一校正信息，由此允许设备在衬底上的一个或更多个期望的位置应用图案。使用附加的...

本发明公开了用于控制EUV曝光剂量的方法和EUV光刻方法及使用这样的方法的设备。光刻设备中的EUV曝光剂量通过改变转换效率而被从脉冲至脉冲控制，以该转换效率通过对应的激励激光辐射脉冲激励燃料材料产生EUV辐射脉冲。转换效率可以以几种不同...

本发明公开了一种角度分解散射仪和一种检验方法，其中在角度分解散射仪中，设置孔板，所述孔板包括至少一个遮挡部分，所述遮挡部分延伸入光瞳平面的像中。根据在所述遮挡部分的像的最内点和光瞳的像的名义中心之间的径向距离确定目标图案的离焦量的值。通...

本发明公开了一种辐射源，包括贮存器、喷嘴、激光器以及正透镜。贮存器配置成保持一体积的燃料。喷嘴与贮存器流体连接并配置成沿着朝向等离子体形成位置的轨迹引导燃料流。激光器配置成将激光辐射引导到在等离子体形成位置处的所述流上，以在使用中产生用...

本发明提供了一种辐射源，包括：贮存器，配置成保持一体积的燃料；喷嘴，与贮存器流体连接，配置成沿着朝向等离子体形成位置的轨迹引导燃料的流；激光器，配置成将激光辐射引导到在等离子体形成位置处的所述流上，以在使用中产生用于产生辐射的等离子体；...

本发明提供了一种辐射源。根据本发明的第一方面，提供一种辐射源，包括：贮液器，配置成保持一体积的燃料；喷嘴，与贮液器流体连接，并配置成沿朝向等离子体形成位置的轨迹引导燃料流；激光器，配置成引导激光辐射到等离子体形成位置处的所述流上，以在使...

一种确定重叠误差的方法。测量具有过程引起的不对称性的重叠目标。构造目标的模型。例如通过移动结构中的一个修改模型以补偿不对称性。使用修改的模型计算由不对称性引起的重叠误差。通过从测量的重叠误差中减去由不对称性引起的重叠误差确定产品目标中的...

本发明公开了光刻设备、用于光刻设备的支撑台以及器件制造方法。所述支撑台被配置用于支撑衬底，所述支撑台具有：支撑部分，用于支撑衬底；以及调节系统，用于将热能供给至支撑部分和/或从支撑部分去除热能，其中所述调节系统包括可独立控制的多个调节单元。

本申请涉及一种光学元件、包括该光学元件的光刻设备、器件制造方法以及所制造的器件。一种光学元件包括第一层(4)，所述第一层包括第一材料，并配置成对第一波长的辐射是基本上反射的并且对第二波长的辐射是基本上透明的。光学元件包括第二层(2)，所...

本发明公开了用于光刻设备的水平传感器布置、光刻设备以及器件制造方法。进一步地，本发明公开了一种测量光刻设备中的衬底上的至少一个大体反射性层表面的位置的方法以及相关的水平传感器和光刻设备。所述方法包括使用宽带光源执行至少两次干涉测量。在每...

本发明公开了一种用于确定由诸如不对称等结构缺陷带来的重叠误差的方法和设备。所述方法包括：测量包括第一结构和第二结构的第一目标的散射性质；使用所测量的散射性质重构第一结构的模型，该模型包括对应第一结构的第一模型结构；通过使第一模型结构与中...

本发明公开了光刻设备、器件制造方法、以及校准位移测量系统的方法。本发明进一步公开了利用干涉测量的位移测量系统，该系统能够操作以通过使用测量辐射束和反射器测量光刻设备的可移动物体在第一方向上的位移。反射器是基本上平面的并且基本上垂直于第一...

本发明公开了用于光刻设备的支撑台、光刻设备以及器件制造方法。所述支撑台包括：支撑部分和调节系统，其中支撑部分、调节系统或两者配置成使得由于调节系统的操作导致的至衬底或来自衬底的热传递在邻近衬底边缘的衬底区域中比在衬底中心处的衬底区域中的大。

本发明公开了一种衬底台组件、浸没光刻设备以及器件制造方法。所述衬底台组件包括：衬底台，用以支撑衬底；和气体处理系统，用以将气体提供至衬底台与安装在衬底台上的衬底之间的区域，其中由气体处理系统提供的气体的热导率在298K的条件下大于或等于...

本发明公开了用于3D拓扑图形晶片的光刻模型。本发明还公开了用于模拟由入射辐射在衬底上的抗蚀剂层内形成的图像的方法，所述方法包括步骤：计算在抗蚀剂层内一深度处的入射辐射引起的向前传播电场或向前传播磁场；计算在抗蚀剂层内所述深度处的入射辐射...

本发明涉及一种光刻设备、衬底台和用于制造器件的方法。一种具有传感器的衬底台包括：设置有对辐射不透明的材料层的材料块体。所述材料层具有配置成允许辐射透过的至少一个窗口。所述传感器包括位于所述窗口处的波长转换材料；和波导，所述波导定位成接收...

本发明公开了位置测量系统、光刻设备和器件制造方法。所述位置测量系统包括：第一部分和第二部分，用于通过提供表示第一部分相对于第二部分的位置的位置信号来确定第一构件相对于第二构件的位置；和计算单元，包括用于接收所述位置信号的输入端子。所述计...