用于控制EUV曝光剂量的方法和EUV光刻方法及使用这样的方法的设备技术

本发明专利技术公开了用于控制EUV曝光剂量的方法和EUV光刻方法及使用这样的方法的设备。光刻设备中的EUV曝光剂量通过改变转换效率而被从脉冲至脉冲控制，以该转换效率通过对应的激励激光辐射脉冲激励燃料材料产生EUV辐射脉冲。转换效率可以以几种不同的方式改变，通过改变与激光束相交的燃料材料的比例，和/或通过改变相互作用的品质。改变转换效率的机制可以基于激光脉冲时序的变化、预先脉冲能量的变化、和/或在一个或更多的方向上的主激光束的可变化的位移。可以包括保持所产生的EUV辐射的对称性的步骤。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及用于控制包括EUV辐射源的光刻设备的EUV曝光剂量的方法、系统以及设备。
技术介绍
光刻设备是一种将所需图案应用到衬底上，通常是衬底的目标部分上的机器。光刻设备可用于例如IC制造过程中。在这种情况下，可以将可选地称为掩模或掩模版的图案形成装置用于生成待形成在所述IC的单层上的电路图案。可以将该图案转移到衬底(例如，硅晶片)上的目标部分(例如，包括一部分管芯、一个或多个管芯)上。通常，通过将图案成像到设置在衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上而实现图案的转移。通常，单一衬底将包括相邻目标部分的网络，所述相邻目标部分被连续地图案化。光刻术被广泛地看作制造IC和其他器件和/或结构的关键步骤之一。然而，随着通过使用光刻术制造的特征的尺寸变得越来越小，光刻术正变成允许制造微型IC或其他器件和/或结构的更加关键的因素。图案印刷的极限的理论估计可以由用于分辨率的瑞利法则给出，如等式⑴所示Cl) = k'*(I) 其中λ是所用辐射的波长，NAps是用以印刷图案的投影系统的数值孔径，Ic1是依赖于工艺的调节因子，也称为瑞利常数，CD是所印刷的特征的特征尺寸(或临界尺寸)。由等式(I)知道本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种控制具有EUV辐射源类型的光刻设备的EUV曝光剂量的方法，其中通过由对应的激励激光辐射的脉冲来激励膨胀的被加热的燃料材料的部分来产生EUV辐射脉冲，所述方法包括步骤：从脉冲至脉冲地控制将所述激光辐射转换成所述EUV辐射的转换效率，其通过设定低于最大可实现的转换效率但是足以实现目标EUV曝光剂量的目标转换效率，使得能够通过改变所述转换效率高于和低于所述目标转换效率而将正的和负的剂量校正两者施加在脉冲之间。

【技术特征摘要】
2011.09.28 US 61/540,417;2012.02.22 US 61/601,8411.一种控制具有EUV辐射源类型的光刻设备的EUV曝光剂量的方法，其中通过由对应的激励激光辐射的脉冲来激励膨胀的被加热的燃料材料的部分来产生EUV辐射脉冲，所述方法包括步骤从脉冲至脉冲地控制将所述激光辐射转换成所述EUV辐射的转换效率，其通过设定低于最大可实现的转换效率但是足以实现目标EUV曝光剂量的目标转换效率，使得能够通过改变所述转换效率高于和低于所述目标转换效率而将正的和负的剂量校正两者施加在脉冲之间。2.根据权利要求1所述的方法，其中所述控制转换效率的步骤包括控制膨胀的燃料材料的比例，该燃料材料被通过改变在激励激光辐射的横截面面积和膨胀的燃料材料的横截面面积之间的共有横截面而由每一激光脉冲激励。3.根据权利要求2所述的方法，其中所述共有横截面至少部分地通过提前或推迟激励激光辐射的每一脉冲在所述燃料材料横穿所述激光辐射的横截面时的时序来改变，使得更大或更小比例的所述材料在所述脉冲的时刻处于激光辐射的横截面内。4.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中所述燃料材料首先被作为燃料液滴传输，并之后在遇到所述激励激光辐射脉冲之前通过激光辐射的预先脉冲加热和膨胀，其中所述控制转换效率的步骤包括相对于所述激励激光辐射脉冲改变预先脉冲的传输的时序，由此在激励激光辐射脉冲的时刻改变燃料材料的位置。5.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中所述燃料材料首先被作为燃料液滴传输，并之后在遇到所述激励激光辐射脉冲之前通过激光辐射的预先脉冲加热和膨胀，其中所述控制转换效率的步骤包括相对于所述激励激光辐射脉冲改变预先脉冲的能量，由此改变燃料材料的膨胀程度。6.根据权利要求5所述的方法，其中目标的预先脉冲能量被设定成所述燃料材料被膨胀成小于对应于最大可实现的转换效率但是足以实现目标的EUV曝光剂量的尺寸所在的水平，使得能够通过改变预先脉冲能量高于和低于所述目标预先脉冲的能量而将正的剂量校正和负的剂量校正两者施加在脉冲之间。7.根据权利要求5所述的方法，其中目标的预先脉冲能量被设定成所述燃料材料被膨胀成大于对应于最大可实现的转换效率但是足以实现目标的EUV曝光剂量的尺寸所在的水平，使得能够通过改变预先脉冲能量高于和低于所述目标预先脉冲的能量而将正的剂量校正和负的剂量校正两者施加在脉冲之间。8.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中转换效率的变化还导致EUV辐射相对于光刻设备的光轴的强度分布的变化，其中所述转换效率被通过用于不同的脉冲的不同的动作改变，以便保持被在不同的脉冲上平均的更加均匀的强度分布。9.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中转换效率的变化还导致EUV辐射相对于激励激光辐射的横截面面积的强度分布的变化,其中在转换效率被改变时激励激光辐射的横截面面积的位置被从脉冲至脉冲地改变，以便相对于光刻设备的光轴减小所述强度分布的变化。10.根据权利要求9所述的方法，其中使用一个或更多的可移动的光学元件执行所述激光辐射的横截面面积的位置的改变。11.根据权利要求1所述的方法，其中所述燃料材料首先被作为燃料液滴传输，并之后在预定的预先处理的位置，燃料液滴在遇到所述激励激光辐射脉冲之前被通过激光辐射的预先脉冲加热和膨胀，其中所述控制转换效率...

【专利技术属性】
技术研发人员：简·伯纳德·普莱彻尔墨斯·范斯库特，亨瑞克斯·罗伯特斯·玛丽·范格瑞文波奥克，V·V·伊万诺夫，A·M·雅库尼恩，H·J·M·柯鲁维尔，
申请(专利权)人：ASML荷兰有限公司，
类型：发明
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