用于3D拓扑图形晶片的光刻模型制造技术

本发明专利技术公开了用于3D拓扑图形晶片的光刻模型。本发明专利技术还公开了用于模拟由入射辐射在衬底上的抗蚀剂层内形成的图像的方法，所述方法包括步骤：计算在抗蚀剂层内一深度处的入射辐射引起的向前传播电场或向前传播磁场；计算在抗蚀剂层内所述深度处的入射辐射引起的向后传播电场或向后传播磁场；由向前传播电场或向前传播磁场以及向后传播电场或向后传播磁场计算在抗蚀剂层内所述深度处的辐射场，同时忽略向前传播电场或向前传播磁场和向后传播电场或向后传播磁场之间的干涉。

【技术实现步骤摘要】
用于3D拓扑图形晶片的光刻模型
技术介绍
可以将光刻设备例如用在集成电路(ICs)的制造中。在这种情形中，掩模可以包含对应于所述IC的单层的电路图案，并且可以将该图案成像到已经涂覆了一层辐射敏感材料(抗蚀剂)的衬底(硅晶片)上的目标部分(包括一个或多个管芯)上。通常，单个晶片将包含相邻目标部分的整个网络，其中所述相邻目标部分通过投影系统被一次一个地连续辐射。在一种类型的光刻投影设备中，通过将整个掩模图案一次曝光到所述目标部分上来辐射每一目标部分；这样的设备通常称作为晶片步进机。在通常称为步进和扫描设备的可选设备中，通过在沿给定的参考方向(“扫描”方向)于投影束下逐步扫描掩模图案的同时沿与该方向平行或反向平行的方向同步地扫描所述衬底台来辐射每一目标部分。因为通常投影系统将具有放大因子(magnification factor)M(通常M < I),衬底台被扫描的速度V将是掩模台被扫描的速度的M倍。在使用光刻投影设备的制造过程中，掩模图案被成像到至少部分地由一层辐射敏·感材料(抗蚀剂)覆盖的衬底上。在该成像步骤之前，衬底可以经过多种工序，例如涂底料、抗蚀剂涂覆和软烘烤。在曝光之后，衬底可本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于模拟由入射辐射在衬底上的抗蚀剂层内形成的图像的方法，所述衬底具有位于抗蚀剂层内或下面的特征，所述方法包括步骤：基于所述特征的特性使用一个或多个散射函数确定衬底特有的散射函数，其中衬底特有的散射函数表征入射辐射的在抗蚀剂层内被所述特征引起的散射。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：刘鹏，
申请(专利权)人：ASML荷兰有限公司，
类型：发明
国别省市：