【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及光刻领域，尤其涉及光刻装置中的投影曝光装置及投影曝光和拼接方法。
技术介绍
在高亮度发光二极管HBLED的加工工艺中，GaN基LED外延是在蓝宝石衬底上制备的。由于GaN和蓝宝石衬底材料的晶格常数相差14%，造成降低载流子的产生率，产生大量热能，缩短芯片的寿命。图形化蓝宝石基板PSS技术可以有效的提高芯片内部量子效率，改变LED光学路线，提升LED外部量子效应。 PSS的工艺流程是首先用光刻工艺在蓝宝石基底上制作出周期性图形如图I所示，在2英寸或4英寸圆形基底上光刻出圆形图案，通常图案直径和图案间距比为2 I或3 I排布；然后进行干法或湿法刻蚀出图形结构，最后在PSS层上进行mocvd制作GaN基发光二极管的外延层。在光刻工艺中，由于使用的蓝宝石衬底的翘曲度和总厚度偏差TTV达不到传统IC加工中使用的硅衬底的要求，所以使用接触式或接近式光刻机对整片蓝宝石衬底曝光难以达到产品的合格率要求。投影光刻机的视场小，在一片蓝宝石基底上分多次曝光如图2所示，图2中的I是矩形视场下的图案排布，视场四个边缘部分都会有半个曝光图形，将图I进行拼接曝光就可以完成整...
【技术保护点】
一种投影曝光装置，用于在基底表面形成曝光图案，包括：可变狭缝，所述可变狭缝包括若干刀口，其特征在于，所述可变狭缝的刀口既可平移运动也可旋转运动，根据待曝光图案的排布，调整所述刀口来调整所述可变狭缝的视场的形状和尺寸，使得所述视场边缘从所述待曝光图案之间穿过或使得所述视场包含了所述待曝光图案区域；，从而使得所述视场之间的拼接线不穿过所述曝光图案。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：张俊，唐世弋，陈勇辉，
申请(专利权)人：上海微电子装备有限公司，
类型：发明
国别省市：
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