一种监测和补偿大尺寸芯片产品光刻拼接精度的方法技术

本发明专利技术提供一种监测和补偿大尺寸芯片产品光刻拼接精度的方法，该方法包括步骤为:设计拼接光刻版；依次进行第一层曝光，包括对大尺寸芯片的拼接光刻和虚拟曝光场的曝光；进行第二层曝光，包括对大尺寸芯片的拼接光刻和虚拟曝光场的曝光；测量得到第二层曝光的虚拟曝光场的套刻测量结果，利用该套刻测量结果来监测和补偿第二层曝光的大尺寸芯片的光刻拼接精度。本发明专利技术利用虚拟曝光场设置测量标记，再利用此测量标记的测量得到的套刻测量结果来监测和补偿拼接光刻精度，克服了芯片的尺寸大于光刻机的曝光视场的难题，提升大尺寸芯片产品光刻拼接精度。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及集成电路装备制造
，特别涉及。
技术介绍
现行主流光刻机的曝光视场的最大面积为26*33mm，而实际应用中某些单个芯片的尺寸要大于光刻机的曝光场，例如全幅CIS的芯片尺寸为36*24mm，摄影棚用相机的尺寸为如60*60_。对于这种超过光刻机曝光视场的芯片的制造,需要使用拼接工艺来制造大于光刻视场的芯片。传统光刻中，芯片尺寸小于或者等于光刻机的曝光市场，单次曝光完成单个芯片的光刻。芯片周围的切割道(Scribe line)中可以放置线宽和套刻等测量标记对工艺进行监控。通过监控结果反馈和补偿光刻的套刻精度。在这种大尺寸芯片所需要的拼接光刻中光刻版上多个模块经过多次曝光拼接为一个芯片(有些模块如CIS芯片的感光模块会经过多次重复曝光拼接成更大的感光单元)。这种拼接模块之间都是芯片的电路图形，无法放置测量标记如套刻标记或者只能放置部分套刻标记，例如可以放置在非拼接的一侧的切割道上。但套刻误差的数学模型中，包含场间误差和场内误差，其中场内误差必须要有曝光场上下左右四个角的套刻误差测量结果。对于拼接光刻的模块，无法在上下左右四个角都放置套刻测量标记，只能放置部分套刻标记。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种监测和补偿大尺寸芯片光刻拼接精度的方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤S01：设计拼接光刻版；?步骤S02：进行第一层曝光，包括对大尺寸芯片的拼接光刻和虚拟曝光场的曝光；?步骤S03：进行第二层曝光，包括对所述第二层曝光的大尺寸芯片的拼接光刻和虚拟曝光场的曝光；步骤S04:?以第一层曝光后得到的虚拟曝光场为基准，测量得到所述第二层曝光的虚拟曝光场的套刻测量结果；步骤S05：利用所述套刻测量结果来监测和补偿所述第二层曝光的大尺寸芯片的光刻拼接精度。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：袁伟，
申请(专利权)人：上海集成电路研发中心有限公司，
类型：发明
国别省市：