【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及把两个物体结合起来的结合装置、在用液体充满投影光学系统和基板之间的状态下通过投影光学系统对基板进行曝光的曝光装置、以及使用该曝光装置的器件制造方法。本申请对于2003年7月9日提出的特愿2003-272615号和2003年7月28日提 出的特愿2003-281182号主张优先权，并在此援引其内容。
技术介绍
通过把形成在掩模上的图案复制到感光性的基板上的所谓光刻方法来制造半导体器件或液晶显示器件。在该光刻步骤中使用的曝光装置具有支撑掩模的掩模台和支撑基板的基板台，一边依次移动掩模台和基板台，一边通过投影光学系统把掩模的图案复制到基板上。近年来，为了对应器件图案的进一步高集成度，希望投影光学系统的更高析像度化。使用的曝光波长越短，此外投影光学系统的数值孔径越大，投影光学系统的析像度越高。因此，曝光装置中使用的曝光波长一年一年变短波，投影光学系统的数值孔径增大。而且，现在主流的曝光波长是KrF受激准分子激光的248nm，但是短波长的ArF受激准分子激光的193nm也在实用化。此外进行曝光时，与析像度同样，焦点深度(DOF)也变得重要。析像度R、焦点深度...
【技术保护点】
一种曝光装置，通过投影光学系统和液体把图案像投影到基板上来对所述基板进行曝光，所述曝光装置的特征在于：包括：液浸机构，用液体充满所述投影光学系统和所述基板之间，在所述基板上的一部分上形成液浸区；以及基板台，保持并移动上述基板，所述投影光学系统包括：具有与所述液体接触的光学构件的第一群以及与所述第一群不同的第二群；通过使所述第一群移动的驱动机构来进行所述第一群相对于所述第二群的位置调整。
【技术特征摘要】
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