【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及,属于高分辨光刻
技术介绍
光刻技术是一种制造半导体器件技术,利用光学的方法将掩膜板上的电路图形转移到硅片上。光刻技术采用深紫外光源,如紫外(UV)、深紫外(DUV)等。多种半导体器件可以采用光刻技术制造,如二极管、晶体管和超大规模集成电路。一个典型的光刻曝光系统包括照明系统、掩膜、投影物镜和硅片。光刻照明系统能够实现对掩膜的均匀照明并产生各种与物镜入瞳相匹配的二次照明光源,其性能好坏在很大程度上将直接影响到曝光线条的质量。光刻照明系统其包括: 光源,光束整形单元,匀光单元和转像镜四个组成部分,由于上述组成部分功能各不相同, 因此如何确定各部分之间的匹配关系显得尤为重要。现有技术(Proc.ofSPIE 2006,6154,615421:1 10)针对高数值孔径(Numerical aperture, NA)光刻照明系统的设计需要考虑的问题进行论述,包括照明系统的光学扩展量Gtendue law),照明系统光束横向和纵向关系,激光束相干性的控制,偏振照明控制,部分相干照明控制和聚光镜、转像镜的设计。但对于光刻照明系统设计中各部分之间的匹配 ...
【技术保护点】
一种确定光刻照明系统中各元件之间匹配关系的方法,该方法所针对的光刻照明系统沿光路方向依次包括光源(1)、扩束镜(2)、衍射光学元件(3)、变焦镜(4)、圆锥棱镜(5)、复眼阵列(6)、孔径光阑(7)、聚光镜(8)、视场光阑(9)以及转像镜(10);其特征在于,具体步骤为:步骤101、确定转像镜倍率K,根据所述K确定照明场直径DFT和聚光镜的数值孔径NAILL;步骤102、确定复眼阵列的规格,所述规格包括复眼阵列微透镜孔径pLA、复眼阵列中微透镜焦距fLA和复眼阵列外径Darray;步骤103、根据科勒照明基本原理得到聚光镜的焦距fCS和聚光镜的入瞳直径Dpupil;步骤10 ...
【技术特征摘要】
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