【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种用于EUV光刻的光学系统，其包含反射光学元件，该反射光学元件包括基底，该基底具有高反射涂层，在用EUV辐射照射该基底时，该基底发出二次电子；以及带电粒子的源，其布置为使得能够将带电粒子施加于反射光学元件。此外，本专利技术涉及一种用于EUV光刻的照明系统、一种用于EUV光刻的投射系统和具有这种光学系统的EUV光刻设备。
技术介绍
在EUV光刻中，针对半导体元件的光刻处理，反射光学元件用于软X射线(softX-ray)至极紫外(EUV)波长范围(例如大约在5nm和20nm之间的波长)，例如用于光掩模或多层反射镜。因为EUV光刻设备通常具有多个光学元件，所以他们必须具有最高可能的反射率，以确保足够的总反射率。因为多个光学元件通常串联地布置在EUV光刻设备中，所以即使任何一个光学元件的反射率的最轻微的退化，仍对EUV光刻设备中的总反射率具有严重的影响。在EUV光刻设备的运行中，反射光学元件暴露于尽可能强烈的EUV辐射，以保持曝光时间尽可能短。在EUV光刻设备的内部，特别是在照明和投射系统的内部，真空条件占大多数。然而，在残留气体环境中不能完全消除很小比...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：DH埃姆，M韦斯，C扎克泽克，T哈克尔，W塞茨，
申请(专利权)人：卡尔蔡司SMT有限责任公司，
类型：
国别省市：
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