【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种微光刻投射曝光设备的光学系统,特别地,本专利技术涉及在期望的偏振分布的供应方面允许增强的灵活性的微光刻投射曝光设备的光学系统。
技术介绍
微光刻用于生产微结构组件,像是例如集成电路或IXDs。微光刻工艺在所谓的投射曝光设备中执行,该投射曝光设备具有照明系统和投射物镜。借由照明系统照明的掩模(=掩模母板)的图像借由投射物镜投射至基板(例如硅晶片)上,该基板涂有感光层(光刻胶)并布置在投射物镜的像平面中,以将掩模结构转移至基板上的光敏涂层上。在微光刻投射曝光设备的运行中,需要以特定目标的方式设定限定的照明设定,也就是照明系统光瞳平面中的强度分布。为了该目的,除了使用衍射光学元件(所谓的DOEs)以外,已知还可使用反射镜装置,例如从W02005/026843A2所知。这种反射镜装置包括彼此独立可调的多个微反射镜。此外,已知多种方式用于以特定目标的方式设定照明系统中的光瞳平面及/或掩模母板中的指定偏振分布,用于优化成像对比度。关于技术发展的水平,请关注例如 WO 2005/069081A2, WO 2005/031467A2、US 6191880B1、 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员:I西恩格,O迪特曼,J齐默曼,
申请(专利权)人:卡尔蔡司SMT有限责任公司,
类型:
国别省市:
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