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本发明提供一种监测和补偿大尺寸芯片产品光刻拼接精度的方法，该方法包括步骤为:设计拼接光刻版；依次进行第一层曝光，包括对大尺寸芯片的拼接光刻和虚拟曝光场的曝光；进行第二层曝光，包括对大尺寸芯片的拼接光刻和虚拟曝光场的曝光；测量得到第二层曝光的...
该专利属于上海集成电路研发中心有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海集成电路研发中心有限公司授权不得商用。

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