改善待测图案之关键尺寸量测的方法技术

一种改善待测图案之关键尺寸量测的方法，包括：步骤S1：确定辅助定位图形的形状，所述辅助定位图形包括至少由三个分别具有水平方向和竖直方向呈90°图形信息的独立定位图形构成；步骤S2：通过曝光和显影工艺将光掩模版上的所述待测图案和所述辅助定位图形转移至所述光阻层；步骤S3：通过CDSEM，对辅助定位图形进行定位；步骤S4：确定待测图案，并进行关键尺寸测量。本发明专利技术所述的改善待测图案之关键尺寸量测的方法，通过在所述光掩模版之稀疏图形区域设置所述辅助定位图形，增加了边缘反射二次电子束的信息，利于所述辅助定位图形的聚焦和信息识别，进而增大了待测图案，尤其包括接触孔图案、通孔图案量测的成功率，进一步提高了制程的稳定性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体器件
，尤其涉及一种。
技术介绍
在集成电路的制造过程中，一般而言，首先将光刻胶涂覆在晶圆表面；然后通过光罩对所述光刻胶进行曝光；随后进行曝光后烘烤以改变所述光刻胶的物理性质；最后进行显影后检测。显影后检测的主要步骤是对光刻胶图案的关键尺寸(CriticalDimension, CD)进行量测，以判断其是否符合规格。如果符合规格，则进行后续的刻蚀工艺，并将所述光刻胶图案转移到所述晶圆上。 但是，随着半导体制造技术的发展，微型尺寸的需求日益增加，关键尺寸越来越小。由于关键尺寸的变化对电子元件的特性有重大的影响，因此光刻工艺必须准确控制光刻胶图案的关键尺寸，以免临界电压以及与图案尺寸变异相关的线阻值发生变动，导致元件品质和电路效能的降低。另外，对于接触孔、通孔之类的关键层，由于其自身图形为孔洞，较其它线性量测图形而言测量难度更大。待测量的图形为稀疏的孔洞，如果注册图形的条件选取不当，则使注册图形的寻找失败进而导致测量失败。而对于注册图形的条件选取，聚焦条件的确定是关键因素。如果注册图形的聚焦图形信息不好，必将直接导致注册图形寻找失败。因此，如何有效地改善注册图本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种改善待测图案之关键尺寸量测的方法，其特征在于，所述方法包括：执行步骤S1：确定辅助定位图形的形状，所述辅助定位图形包括至少由三个分别具有水平方向和竖直方向呈90°图形信息的独立定位图形构成；执行步骤S2：通过曝光和显影工艺将光掩模版上的所述待测图案和所述辅助定位图形转移至所述光阻层，所述辅助定位图形对应设置在所述光掩模版之稀疏图形区域；执行步骤S3：通过CDSEM，对辅助定位图形进行定位；执行步骤S4：确定待测图案，并进行关键尺寸测量。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：夏婷婷，朱骏，马兰涛，张旭升，
申请(专利权)人：上海华力微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：