【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种测量通孔尺寸的方法，尤其涉及。
技术介绍
在半导体集成电路工业中，高性能的集成电路芯片需要高性能的后段电学互连。金属铜由于它的低电阻率特性，在先进集成电路芯片中得到了越来越广泛的应用。为了获得更低的信号延迟，获得更高的互连性能，低介电常数介质材料被引入高端芯片制程。特别在45纳米以下的互连工艺中，广泛采用相对介电常数2. 45^2. 55的多孔介电常数材料。伴随多孔介电常数材料的引入，金属硬掩模刻蚀工艺也被广泛的采用，其目的是为了获得更好的图形精度和降低灰化去胶工序对多孔介电常数材料的损伤。 双大马士革工艺是铜互连中最常采用的互连方式。通过使通孔层和金属导线层的一体化成型，可以有效的降低通孔和导线层的整体电阻，而且可以使工艺复杂度降低。但与单层大马士革互连结构相比，双大马士革互连结构通常具有更高的深宽比，尤其是对于通孔的底部而言。互连工艺控制中最重要的判据为测量得到的关键尺寸数据。关键尺寸的测量通常是利用电子显微镜成像来实现的。通常会在光刻显影后量测光刻后的特征尺寸来验证光刻工序的质量，而在刻蚀完成后，量测图形的刻蚀后关键尺寸来检验刻蚀工艺的合...
【技术保护点】
一种表征通孔刻蚀后关键尺寸的方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1，在双大马士革工艺的光刻预定区域的通孔图形时，在非预定区域的光罩上形成通孔的测量图形，所述测量图形的大小与所述定义通孔图形的大小一致；步骤2，进行通孔刻蚀工艺，在预定区域和非预定区域刻蚀出通孔；步骤3，在刻蚀工艺稳定后，测量非预定区域的通孔的尺寸。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：张亮，
申请(专利权)人：上海华力微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：
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