电子可编程熔丝器件制作方法技术

一种电子可编程熔丝器件制作方法，包括：将器件区域分为非电子可编程熔丝区域和电子可编程熔丝区域；在所述电子可编程熔丝区域进行多次刻蚀，以增加其边缘粗糙度；对所述非电子可编程熔丝区域进行光刻、显影和刻蚀。本发明专利技术通过多次刻蚀，以及加大主刻蚀的物理轰击效果，使得多晶硅熔丝表面的粗糙度增加。此外，通过采用抗刻蚀性较弱的光刻胶，或者降低光刻胶的厚度，从而提高多晶硅熔丝边缘的粗糙度，使得电子可编程熔丝器件中的电流密度变化增大，以增强电子可编程熔丝器件的熔断性能。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体制造工艺，且特别涉及。
技术介绍
电子可编程溶丝(electrically programmable fuse,即eFuse)技术利用金属电迁移现象发展起来的一种技术，它能和CMOS工艺技术兼容，面积小。主要用做执行冗余、现场修复芯片、对芯片重新编程，使电子产品变得更加智能化。参考图1，在常见的电子可编程熔丝器件版图中，电极2和电极3之间由多晶硅熔丝I相连接。当在两电极之间加以较高电流时，在较高的电流密度的作用下，相关原子将会沿着电子运动方向进行迁移，形成空洞，最终断路，这种现象就是电迁移(EM)现象。由于多 晶硅熔丝在熔断之前和熔断之后的电阻会发生变化，通常熔断之后的电阻为熔断之前的电阻的1(Γ1000倍，电子可编程熔丝器件正是利用多晶硅熔丝的电迁移现象所引起的电阻变化，从而实现可编程的目的。电子可编程熔丝器件的电迁移现象与多晶硅熔丝中的电流密度分布紧密相关，当多晶硅熔丝中的电流密度分布不均匀(即存在电流密度梯度)的时候，相关原子在两个电极方向上受电子风力状况不同，从而更容易发生电迁移现象，使得多晶硅熔丝更容易熔断。
技术实现思路
本专利技术提供了一种，增强电子可本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电子可编程熔丝器件制作方法，其特征在于，包括：将器件区域分为非电子可编程熔丝区域和电子可编程熔丝区域；在所述电子可编程熔丝区域进行多次刻蚀，以增加其边缘粗糙度；对所述非电子可编程熔丝区域进行光刻、显影和刻蚀。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：俞柳江，李全波，
申请(专利权)人：上海华力微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：