【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种半导体制造方法，特别涉及。
技术介绍
目前，在半导体器件部分的器件层制造完成后，为了能够在半导体器件工作时外加电压或电流，需要在器件层上方制作金属互连层，金属互连层结构包括器件层上方沉积的层间介质、层间介质中刻蚀的通孔和沟槽中填充金属后分别形成的金属线和金属衬垫(pad)。随着半导体制造技术的发展，半导体器件尺寸不断缩小的同时集成度越来越高，金属互连层的个数不断增加，其中最上面一层金属互连层称为顶层金属互连层(top metal)。现有的金属互连层制作工艺流程中普遍用金属铜填充通孔和沟槽，形成金属线和金属衬垫，对于顶层金属互连层中的金属衬垫，由于金属与层间介质界面间应力(stress)产生的空洞缺陷，将会严重影响半导体器件的电性连接，造成可靠性问题。下面以如图1所示的现有技术的顶层金属互连层的金属衬垫制作工艺流程图，详细说明顶层金属互连层的金属衬垫制作详细步骤。步骤01，图2为现有技术中顶层金属互连层的金属衬垫制作方法的步骤01的剖面结构示意图，如图2所示，在第一金属互连层100之上依次沉积第一层间介质101和第二层间介质102。本步骤中，仅以...
【技术保护点】
一种金属衬垫制作方法，应用于顶层金属互连层，提供具有金属互连层的晶片，所述金属互连层上依次沉积第一层间介质和第二层间介质，在所述第一层间介质中形成通孔之前或之后，该方法还包括：所述第二层间介质涂覆第一光刻胶后曝光和显影形成用于定义金属衬垫的第一光刻图案，所述第一光刻图案在金属衬垫的边沿处保留至少一个圆柱形第一光刻胶部分；以所述第一光刻图案为掩膜刻蚀所述第二层间介质形成沟槽，所述沟槽在临近边沿处具有圆柱形第二层间介质部分；在所述沟槽中沉积扩散阻挡层和铜籽晶层后，填充生长金属铜；化学机械研磨所述金属铜、扩散阻挡层和铜籽晶直到露出所述第二介质层表面。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：郑大燮，魏琰，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：
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