制作金属栅极的金属塞方法技术

本发明专利技术公开了一种制作金属栅极的金属塞的方法，在采用干法去除金属栅极的金属塞通孔中的金属栅极氧化层时，采用小溅射剂量的氩分子溅射和氢气还原氧方式相结合去除，该小剂量保证对有源区域上方的阻挡层刻蚀时不穿透阻挡层，这样，一方面采用小溅射剂量的氩分子溅射不会对有源区域上方的阻挡层刻蚀穿透，另一方面采用小溅射剂量的氩分子溅射无法完全去除金属栅极的金属塞通孔中的金属栅极氧化层部分采用氢气还原氧方式被还原，从而使金属栅极的金属塞通孔连通金属栅极，最终在该金属栅极的金属塞通孔中所填充的金属塞也能够连通金属栅极。因此，本发明专利技术可以保证在不损伤半导体的有源区域基础上使得所制作的金属栅极的金属塞连通金属栅极。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体器件的制作技术，特别涉及一种制作金属栅极的金属塞的方法。
技术介绍
目前，半导体制造工业主要在硅衬底的晶片(wafer)器件面上生长器件，例如，互补型金属氧化物半导体(CMOS)器件。现在普遍采用双阱CMOS工艺在硅衬底上同时制作导电沟道为空穴的P型沟道金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)和导电沟道为电子的η型沟道M0SFET，具体步骤为首先，将硅衬底中的不同区域通过掺杂分别成为以电子为多数载流子的(η型)硅衬底和以空穴为多数载流子的(P型)硅衬底之后，在η型硅衬底和P型硅衬底之间制作浅沟槽隔离(STI) 101，然后在STI两侧用离子注入的方法分别形成空穴型掺杂扩散区(P阱)102和电子型掺杂扩散区(N阱)103，接着分别在P阱102和N阱103位 置的wafer器件面依次制作由栅极电介质层104和金属栅105组成的层叠栅极，最后在P阱102和N阱103中分别制作源极和漏极，源极和漏极位于层叠栅极的两侧(图中未画出)，在P阱中形成η型沟道MOSFET，在N阱中形成ρ型沟道MOSFET，得到如图I所示的CMOS器件结构。传统的氮氧化合物/多晶硅层叠栅极，是以本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制作金属栅极的金属塞的方法，该方法包括：在半导体衬底上形成CMOS器件结构，该CMOS器件结构包括在半导体衬底上的替代栅极、半导体衬底中的有源区，在该CMOS器件的表面还具有阻挡层，在阻挡层表面上沉积第一介质层；采用化学机械平坦化CMP方式对第一介质层抛光，到阻挡层止，去除替代栅极，采用金属层填充替代栅极区域，形成金属栅极，金属栅极表面被氧化形成氧化层；在该CMOS器件结构表面沉积第二介质层后，在第二介质层中采用光刻和刻蚀工艺制作金属栅极的金属塞通孔及有源区的金属塞通孔，在刻蚀时以阻挡层作为刻蚀停止层；采用氩分子溅射和氢气还原的结合方式去除金属通孔中的金属栅极的氧化层的同时，对有源区域上方...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：黄晓辉，王新鹏，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：