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本发明公开了一种制作金属栅极的金属塞的方法，在采用干法去除金属栅极的金属塞通孔中的金属栅极氧化层时，采用小溅射剂量的氩分子溅射和氢气还原氧方式相结合去除，该小剂量保证对有源区域上方的阻挡层刻蚀时不穿透阻挡层，这样，一方面采用小溅射剂量的氩分...
该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。

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