优化浅槽隔离刻蚀工艺的方法技术

本发明专利技术公开了一种优化浅槽隔离刻蚀工艺的方法，该方法通过先调整刻蚀时间以获得不同刻蚀时间下的不同顶部圆化弧度形貌的浅沟槽，并进行顶部圆化弧度测量，建立浅沟槽顶部圆化弧度与刻蚀时间之间的对应关系；然后根据器件的电性规格与浅沟槽顶部圆化弧度之间的趋势，得到不同电性规格的器件实际对应的浅沟槽顶部圆化弧度；最后，根据不同电性规格的器件实际对应的浅沟槽顶部圆化弧度以及浅沟槽顶部圆化弧度与刻蚀时间之间的对应关系，计算并调节刻蚀时间，以精确控制并稳定器件的浅沟槽顶部圆化弧度。从而改变了以往只能粗略评估浅槽隔离顶部形貌的缺点，实现了精确控制在线制品的形貌和最终的电性，大大提高浅槽隔离开发效率和产品良率的方法。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体制造
，尤其涉及一种
技术介绍
随着半导体器件关键尺寸的减小，浅槽隔离的形貌对器件的电性影响越来越敏感，尤其当浅槽隔离形貌中底部和顶部拐角不够圆化时，很容易出现漏电现象，最终导致器件失效，而且圆化程度对器件的电性有着重要影响。在65nm及以下的工艺技术中，为提高电路性能，获得更高的器件密度，使用和发 展了浅槽隔离技术，沟槽的深度和形貌对器件有着以下极其重要的影响I)随着半导体器件关键尺寸的减小，浅槽隔离的形貌对器件的电性影响越来越敏感，尤其当浅槽隔离形貌中底部和顶部拐角不够圆化时，很容易出现漏电现象，甚至能导致器件击穿(punch through)，最终导致器件失效，而且圆化程度对器件的电性有着重要影响，其中，顶部拐角a如图I所示，器件击穿电压与顶部拐角圆化弧度之间的关系如图2所示；2)沟槽的形貌(角度，侧壁光滑度，底部的圆滑度等等)对后续工艺以致最终的器件影响很大。然而，在浅槽隔离工艺技术日趋成熟的同时存在着以下的一些问题I)产品刻蚀的过程中，由于刻蚀腔体的氛围，参数的漂移等不确定因素的改变，容易造成沟槽的顶部圆化的弧度远离设定的规格。目前，在线是无法测本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种优化浅槽隔离刻蚀工艺的方法，其特征在于，该方法包括如下步骤：在对浅槽隔离进行顶部刻蚀时，调整刻蚀时间以获得不同刻蚀时间下的不同顶部圆化弧度形貌的浅沟槽；对不同刻蚀时间下得到的不同顶部圆化弧度形貌的浅沟槽进行顶部圆化弧度测量，建立浅沟槽顶部圆化弧度与刻蚀时间之间的对应关系；根据器件的电性规格与浅沟槽顶部圆化弧度之间的趋势，得到不同电性规格的器件实际对应的浅沟槽顶部圆化弧度；根据不同电性规格的器件实际对应的浅沟槽顶部圆化弧度以及浅沟槽顶部圆化弧度与刻蚀时间之间的对应关系，计算并调节刻蚀时间，以精确控制并稳定器件的浅沟槽顶部圆化弧度。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：许进，王国兵，唐在峰，吕煜坤，张旭昇，
申请(专利权)人：上海华力微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：