一种浅槽隔离结构及制作方法技术

一种制作浅槽隔离结构及制作方法，本发明专利技术所制作的浅槽隔离结构经过了二次刻蚀、二次填充和二次抛光形成的，所形成的STI结构并不像现有技术那样是长方体结构或倒梯形结构，而是中间宽，上下窄的立体结构，这样，即使在制作n阱或p阱时掩膜偏移而造成的n阱和p阱在STI结构两边不对称，由于STI结构的中间宽部分的存在，也不会造成p阱和n阱中的有源区连通，或者不会造成n阱和p阱中的有源区连通。STI结构的上方区域制作保证了所制作的STI结构在半导体衬底中，不高于半导体衬底，因此，本发明专利技术提供的方法及STI结构保证了在后续制作n阱或p阱时掩膜偏移的情况下完全隔离p阱和n阱中的有源区，或者完全隔离n阱和p阱中的有源区。因此，本发明专利技术提供的方法及STI结构保证了完全隔离半导体衬底的有源区。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体器件的制作技术，特别涉及一种制作浅槽隔离结构及制作方法。
技术介绍
在半导体器件的制作过程中，包括半导体衬底上制作浅槽隔离(STI，ShallowTrench Isolation)结构，STI结构的制作是在衬底上制作的晶体管有源区之间隔离区的一种工艺。图I为现有技术在半导体衬底上制作STI结构的方法流程图，结合图2a 图2d所示的现有技术在半导体衬底上制作STI结构的过程剖面结构示意图，进行详细说明步骤101、提供半导体衬底11，对半导体衬底11进行氧化，形成第一氧化层12，如图2a所示；步骤102、在所形成的第一氧化层12表面沉积第一氮化硅层13，如图2b所示；在本步骤中，第一氮化硅层13的沉积采用低压化学气相沉积(LPCVD)方式进行，所沉积的第一氮化硅层13 —方面在后续作为硬掩膜保护半导体衬底，另一方面在后续抛光过程中作为刻蚀停止层；步骤103、采用光刻和刻蚀工艺在半导体衬底11形成STI结构沟槽14，该STI结构沟槽14用于隔离后续在半导体衬底11上形成的η阱和P阱，如图2c所示；本步骤的具体过程为在第一氮化硅层13上涂覆光刻胶层后，采用STI结构图形本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种浅槽隔离的制作方法，该方法包括：提供半导体衬底，在半导体衬底上依次形成第一氧化层和第一氮化硅层；采用光刻和刻蚀工艺依次刻蚀第一氮化硅层及第一氧化层，形成第一沟槽；沉积第二氧化硅层，以第一氮化硅层为刻蚀停止层，干法刻蚀后，在半导体衬底上形成第二沟槽；继续采用干法刻蚀，在半导体衬底的n阱和p阱之间形成与第二沟槽同宽的第三沟槽；在第三沟槽中填充氧化硅，在半导体衬底上形成T型的隔离结构；湿法清洗掉第一氮化硅层和第一氧化层后，进行半导体衬底的外延生长，得到外延层；在具有外延层的半导体衬底沉积第二氧化层及第二氮化层后，在第二氮化硅层上沉积第三氧化硅层后，抛光至第二氮化硅层，形成STI结构的上方区域；去...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：刘金华，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：