准SOI结构的制造方法技术

一种半导体技术领域的准SOI结构的制造方法，包括：提供衬底，所述衬底包括中间区域和边缘区域，所述中间区域的上表面高于所述边缘区域的上表面；在所述边缘区域的上表面、所述中间区域的侧表面和上表面形成绝缘层；去除所述边缘区域上表面边缘部分对应的绝缘层和所述中间区域上表面对应的绝缘层；外延生长半导体材料，所述半导体材料覆盖所述绝缘层。本发明专利技术制造方法简单。

【技术实现步骤摘要】

专利技术涉及半导体制造领域，尤其涉及一种准SOI结构的制造方法。
技术介绍
随着集成电路向超大规模集成电路发展，集成电路内部的电路密度越来越大，所包含的元件数量也越来越多。随着半导体集成电路的进一步发展，半导体元件的尺寸也随之减小，MOS晶体管的工艺也有许多的改进。现有技术中发展了一种超薄体(Ultra Thin Bulk, UTB)绝缘体上娃(SilicononInsulator, SOI)器件，所述超薄体SOI器件中，硅薄膜很薄，通常厚度小于1/4的栅长，但是超薄体SOI器件中的超薄硅薄膜会导致迁移率降低、阈值电压增大以及性能涨落增大等 问题，严重影响了器件的性能。在《信息科学》杂志2008年第38卷第6期的921 932的页面内，公布了题目为“32nm及其以下技术节点CMOS技术中的新工艺及新结构器件”的技术文献，在所述技术文献中公开了一种准SOI结构。参考图I示出了所述技术文献中公开的准SOI结构的示意图。所述准SOI结构包括衬底10 ;位于衬底10上的栅极结构，所述栅极结构包括依次位于衬底10上的栅极介质层13和栅极14，包围所述栅极介质层13和栅极14的侧墙16，所述本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种准SOI结构的制造方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底包括中间区域和边缘区域，所述中间区域的上表面高于所述边缘区域的上表面；在所述边缘区域的上表面、所述中间区域的侧表面和上表面形成绝缘层；去除所述边缘区域上表面边缘部分对应的绝缘层和所述中间区域上表面对应的绝缘层；外延生长半导体材料，所述半导体材料覆盖所述绝缘层。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：李凤莲，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：