半导体器件及其制造方法技术

本公开实施例提供了一种半导体器件及其制造方法。所述方法包括：在衬底上形成氮化物层，以及形成宽线区沟槽和密线区沟槽；在所形成的宽线区沟槽和密线区沟槽的底部和侧壁上形成第一绝缘层；去除仅所述宽线区沟槽底部上的部分厚度或全部厚度的第一绝缘层；淀积第二绝缘层以填充所述宽线区沟槽和密线区沟槽；以及利用化学机械平坦工艺，以所述氮化物层为阻挡层，整平所述宽线区沟槽和密线区沟槽外的第二绝缘层。本公开实施例的方法通过去除宽线区沟槽底部上的部分厚度或全部厚度的第一绝缘层，来提高宽线区沟槽内第二绝缘层的淀积率，由此减小了淀积的第二绝缘层在宽线区与密线区上的差异，从而减轻或者消除化学机械平坦工艺中出现的碟形缺陷。

【技术实现步骤摘要】

本公开涉及半导体器件制造领域，特别是涉及具有浅沟槽隔离结构的。
技术介绍
随着半导体器件集成度的不断增加，用于电隔离相邻器件的隔离技术变得越来越重要。浅沟槽隔离工艺是目前在制造高集成度的半导体器件中广泛采用的隔离技术。浅沟槽隔离工艺通过在半导体衬底上形成限定有源区的隔离沟槽，并用绝缘材料 填充隔离沟槽以实现对有源区的有效隔离。通常情况下，半导体器件中有些区域的有源区密度较高，实现有源区隔离的沟槽宽度较小，这种区域称为“密线区”;有些区域的有源区密度较低，隔离用的沟槽宽度相对较宽，这种区域称为“宽线区”。图IA至ID示出了现有技术的形成具有浅沟槽隔离结构的半导体器件的方法。首先，在半导体衬底100中形成衬垫氧化物层103和氮化物层104，并通过例如光刻工艺形成宽线区的隔离沟槽101和密线区的隔离沟槽102，如图IA所示。之后，参照图1B，在沟槽101和102的侧壁和底部形成诸如衬里氧化物层105的第一绝缘层。接着，利用诸如高深宽比工艺(HARP)在沟槽中淀积诸如填充氧化物层106的第二绝缘层，如图IC所示。最后，利用化学机械平坦工艺整平沟槽表面外的填充氧化物，如图ID所示。然而，由于本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制造半导体器件的方法，包括以下步骤：在衬底上形成氮化物层，以及形成宽线区沟槽和密线区沟槽；在所形成的宽线区沟槽和密线区沟槽的底部和侧壁上形成第一绝缘层；去除所述宽线区沟槽底部上的部分厚度或全部厚度的第一绝缘层；淀积第二绝缘层以填充所述宽线区沟槽和密线区沟槽；以及利用化学机械平坦工艺，以所述氮化物层为阻挡层，整平所述宽线区沟槽和密线区沟槽外的第二绝缘层。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：邵群，洪中山，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：