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本公开实施例提供了一种半导体器件及其制造方法。所述方法包括：在衬底上形成氮化物层，以及形成宽线区沟槽和密线区沟槽；在所形成的宽线区沟槽和密线区沟槽的底部和侧壁上形成第一绝缘层；去除仅所述宽线区沟槽底部上的部分厚度或全部厚度的第一绝缘层；淀积...
该专利属于中芯国际集成电路制造（北京）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（北京）有限公司授权不得商用。

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