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一种半导体技术领域的准SOI结构的制造方法，包括：提供衬底，所述衬底包括中间区域和边缘区域，所述中间区域的上表面高于所述边缘区域的上表面；在所述边缘区域的上表面、所述中间区域的侧表面和上表面形成绝缘层；去除所述边缘区域上表面边缘部分对应的绝...
该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。

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