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一种制作浅槽隔离结构及制作方法，本发明所制作的浅槽隔离结构经过了二次刻蚀、二次填充和二次抛光形成的，所形成的STI结构并不像现有技术那样是长方体结构或倒梯形结构，而是中间宽，上下窄的立体结构，这样，即使在制作n阱或p阱时掩膜偏移而造成的n阱...
该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。

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